美光量产第三代10nm级内存：首发1Znm工艺16Gb DDR4
日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
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被日本限制原材料：三星、SK海力士库存恐剩1.5个月
据韩国媒体报道称，自7月4日日本宣布半导体材料限韩令后，韩系半导体厂商至今已1个月未能从日本进口高纯度氟化氢及光阻剂材料。报道中提到，由于日本的外销审查已实施1个月，韩国业界推测SK海力士剩下的高纯度氟化氢与光阻剂库存只剩下1.5个月。三星电子的情况也大致相近，虽然副会长李在熔曾于7月中旬访日，但并未顺利解决原料取得问题。
存储芯片价格持续下滑，三星/美光/SK海力士均计划削减产能维持价格
近日美光宣布计划将其DRAM和NAND FLASH产品的产量削减5%，并将资本支出将调降5亿美元，用以抵消内存价格下跌带来的影响。而除了美光之外，三星、海力士等公司此前宣布计划削减2019年的资本支出以减少 NAND Flash、DRAM 的产能，三星还计划增加其晶圆代工在市场上的份额以弥补储存芯片降价导致的损失。
“跑赢房价”的芯片突然减价甩卖，背后是三星狙击中国厂商？
一度被调侃为“跑赢了房价”的存储芯片，如今突然迎来8年来最大跌幅，国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。近日，半导体产业市场调研品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）公布的最新的存储芯片行业调研报告显示，DRAM跌价幅度超过预期，创8年以来最大跌幅。
三星/美光/Hynix泪奔！内存价格暴跌30%，创8年来最惨记录！
由于需求减少，三星计划减少内存芯片产量增幅！
9月21日上午消息，据彭博社援引知情人士消息称，鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅，以确保供应紧缩。
三星正式发布LPDDR5内存芯片：6400Mbps、功耗降低30%
7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级（10~20nm）工艺。
为阻止中国厂商染指DRAM，三星拟扩产20%！
三星电子准备按下毁灭开关，存储器的超级周期将画上句点？据传三星为了防止中国厂染指 DRAM，打算大举扩产，未来全球 DRAM 产出可能一举暴增 20%。
三星考虑与中国企业合作生产逻辑芯片
近日，据《韩国时报》报道称，三星考虑与中国领先半导体企业合作，一起提高逻辑芯片业务的销售额与市场份额。逻辑芯片市场波动较小、利润相对较高。
