分类： 业界

三星罕见“低头”！英伟达NVHBM基底芯片将由台积电3nm代工！

三星罕见“低头”！英伟达NVHBM基底芯片将由台积电3nm代工！

2026年10月18日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》报道，三星电子已决定在英伟达下一代的定制型高带宽内存（HBM）——NVHBM的生产中，允许英伟达将其核心组件“基底芯片”（Base Die）交由长期竞争对手台积电的3nm制程代工。这将是三星首次在HBM的制造阶段与台积电展开合作。
河泊创新发布 HarborNavi 家庭智能体

河泊创新发布 HarborNavi 家庭智能体

2026年10月17 日，河泊创新（Harbor Innovations）今日正式发布家庭智能体产品 HarborNavi。产品整合摄像头、传感器及智能设备的信息，通过家庭环境理解、事件记忆与设备协作，为用户提供日常任务支持，并在用户确认后协调相关设备执行操作。
理想马赫100发布：5nm制程，1280TOPS，性能达英伟达Thor U数倍

估值171亿元！理想“马赫”单飞，不止为“理想”！

10月16日，理想汽车发布公告，宣布旗下间接全资控股的芯片子公司上海马赫心科技有限公司签署首轮股权融资协议，融资金额16.25亿元，投后估值166.3亿元。本轮由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投，奇绩创坛参与投资。此外，杭州经韬及其关联基金另获最高5亿元追加认购权，若悉数行使，马赫心科技投后估值将达到171亿元。
三星下最后通牒？高通否认2nm骁龙“过热”！

三星下最后通牒？高通否认2nm骁龙“过热”！

据韩国《首尔经济日报》10月16日独家报道，三星在Galaxy S27 Ultra的最终性能验证中发现，其所搭载的高通第六代骁龙8超级至尊版（Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6）存在反复过热与性能降频问题，并已向高通下达“十月中旬前改善”的最后通牒。若问题无法解决，三星自家Exynos 2700或将在时隔五年后重新进入Ultra产品线。
俄罗斯拟建14nm晶圆厂！

SEMI美洲总裁：美国先进半导体全球占比有望达40%！

10月16日消息，国际半导体产业协会（SEMI）美洲区总裁史托库纳斯（Joe Stockunas）在SEMICON West期间接受中央社专访时表示，随着美国晶圆厂建设项目持续增加，若纳入德克萨斯州新增的晶圆厂，美国占全球最先進半导体产能的比重有望在下个十年（2030年代末）达到40%。