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美光：HBM4E明年量产，基于1γ制程EUV技术

5月25日消息，据外媒Wccftech报导，摩根大通（JPMorgan）近日发布研究报告指出，美光高管在波士顿举行的“第54届小摩全球科技、媒体与通信年会”（TMC）上指出，由于高性能内存芯片能显著提升AI模型的计算性能，预期整个内存市场的供给吃紧状态将延续到2026年之后。

5月26日消息，据外媒wccftech报道，英特尔晶圆代工厂（Intel Foundry）位于美国新墨西哥州里奥兰乔（Rio Rancho）的工厂正朝着下一代玻璃基板（Glass Substrate）量产核心基地迈进，目标成为全球首座启动玻璃基板大规模生产的工厂。

2026年5月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布推出集成冷却元件（ICE）的iHBM解决方案，将用于下一代HBM产品的高带宽内存（HBM）封装。

5月25日，2026国际电路与系统研讨会在上海举行。华为公司董事、半导体业务部总…

5月25日消息，韩国三星电子工会罢工事件虽然因劳资双方达成临时协议而暂时中止，但是该协议却引发了三星电子其他部门与存储芯片部门之间的激烈对立。同时，三星电子的股东们也对该协议强烈反对。

5月25日消息，针对旗下人工智能（AI）服务器疑似通过不实申报出口、走私转运至受限制市场的指控，超微电脑（Super Micro Computer）发出声明回应称，该公司正与产业伙伴合作，以保护美国先进技术与知识产权，并持续强化全球贸易合规机制与系统。

5月25日消息，根据TrendForce最新公布的NAND Flash产业调查报告显示，2026年第一季度，在需求爆发但供给受限的情况下，NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动第一季前五大品牌商合计营收季增83.7%，突破389亿美元。

5月25日消息，近日有传闻称，台积电内部拟大砍员工15%分红，引发基层员工强烈反对，甚至扬言效法三星工会发动罢工行动。对此，台积电今日回应称，今年员工分红增长比例将会超过去年。

当地时间5月22日，美光存储芯片大厂美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片，这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步。作为美国唯一的内存制造商，美光在加强美国国内内存供应方面具有独特优势。

东芝半导体近日宣布，推出新一代1200V SiC MOSFET “TW007D120E”，锁定AI 数据中心电源与再生能源设备市场，并已开始出货测试样品。

5月25日，2026国际电路与系统研讨会在上海举行。华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在题为《半导体新路径探索与实践》的主旨演讲中，正式发表了半导体领域新定律——“韬(τ)定律”。

为解决人工智能（AI）芯片所面临的“内存墙”这一长期挑战，根据韩媒zdnet报导，内存封装领域正在讨论采用新一代AI芯片设计，将图形处理单元（GPU）或ASIC计算单元和高带宽内存（HBM）拆分开来进行独立封装，然后通过“光学互联”技术来连接它们，可以将当前8颗HBM的安装数量提升到现在的数倍。