800V还不够看，东芝研发1200V SiC功率元件

5月25日消息，随人工智能（AI）数据中心功耗快速攀升，HVDC 供电架构正加速导入，对于功率半导体也提出了更高的要求。东芝半导体近日宣布，推出新一代1200V SiC MOSFET “TW007D120E”，锁定AI 数据中心电源与再生能源设备市场，并已开始出货测试样品。

随生成式AI 与高性能计算（HPC）快速发展，AI服务器功耗持续增加，数据中心也开始从传统交流供电，逐步转向800V HVDC 等高压供电架构，希望降低耗电与散热压力。在这样的趋势下，负责电力转换与控制的“功率半导体”重要性也跟着提升。

功率半导体主要应用在AI 服务器电源（PSU）、UPS、不断电系统、电动汽车与储能设备中，主要功能是控制高电压与大电流，降低电力损耗与发热。

目前常见功率半导体包括MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）等。其中，SiC 与GaN 因具备高效率、高耐压与低损耗特性，近年开始成为AI 资料中心的重要技术方向。

东芝表示，TW007D120E 采用自家开发的Trench Gate（沟槽闸极）结构，可降低导通与切换损耗。相较前一代产品，新产品导通电阻降低约58%，有助降低AI数据中心电源发热量，提升整体供电效率。产品同时采用支持顶部散热的QDPAK 封装，强化高功率密度环境下的散热能力。

目前全球SiC 功率半导体主要厂商包括英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美与东芝等。随AI 机柜功耗持续攀升，市场也开始关注新一代电源架构与功率半导体供应链发展。

编辑：芯智讯-林子