三星最新研究登上《Nature》:新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%

12月2日消息,三星电子旗下先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,SAIT)的研究团队近日在国际权威期刊《Nature》上发表了题为《用于低功耗NAND Flash的铁电场效应晶体管》(Ferroelectric transistors for low-power NAND flash memory)的研究报告,提出基于铁电场效应晶体管(FeFET)的新型3D NAND构架,成功将能耗降低高达96%。









