韩国虽称霸HBM市场，但缺乏混合键合核心专利

11月26日消息，据韩国媒体Thelec报道，韩国智慧财产振兴院（KIPRO）研究员Kim In-soo 接受其采访时表示，虽然韩国存储芯片厂商在制造与堆叠HBM方面表现优异，并占据大半HBM市场，但原物料与设备却过度依赖海外公司，加上韩国企业缺乏与HBM相关的混合键合核心专利，可能让他们在未来面临专利诉讼风险。

根据KIPRO 分析，台积电以及美国的Adeia 是HBM制造所需的混合键合技术的领导者。 Kim In-soo 表示，其研究团队利用AI 技术审查2003年到2022年之间，在韩国、美国、日本、欧洲与中国公开的超过10000件相关专利，发现从专利质量与市场价值来看，Adeia 拥有最具价值的专利。

Adeia 拥有从Ziptronix 取得的直接键合互连与低温直接键合等核心技术专利，并通过旗下Invensas 与Tessera 等公司，也已取得大量混合键合专利组合。

另根据K-PEG 评级，台积电拥有A3 等级以上的高品质专利数量中排名第一，三星则排名第二，美光和IBM 紧追在后。报导还称，台积电的SoIC 技术具高价值。

目前中国也在存储领域的专利也在快速增长，例如长江存储也掌握包括Xtacking 在内的核心技术。这些专利横跨韩国、美国、日本、欧洲与中国注册，意味着韩国企业可能随时卷入专利诉讼。

Kim In-soo 指出，虽然韩国持有第二大规模HBM 相关专利，但其质量与影响力“低于平均水平”，因为韩国在核心设备与材料上仰赖进口，对国内企业构成风险。相关公司目前可能仍倾向通过不公开的协商方式签订授权协议，但从2026年混合键合开始商业化后，这些问题可能最终演变成诉讼。

值得一提的是，今年2月，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。

而三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。

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