传博通、英伟达和AMD正在测试Intel 18A制程

3月4日消息，据路透社援引两名知情人士的话报道称，美国两大芯片巨头英伟达（NVIDIA）和博通（Broadcom）正在基于英特尔最新的Intel 18A制程进行制造测试，这显示出对这家陷入困境的公司先进生产技术的初步信心。

报道还指出，另一家处理器大厂AMD也在评估Intel 18A 制造工艺是否符合其需求，但目前尚不清楚该公司是否已将测试芯片送往工厂。

英伟达、博通和AMD均为全球前五大芯片设计公司，如果他们后续真的考虑采用Intel 18A制程来生产自己的芯片，那么他们的需求足以让英特尔晶圆代工业务迎来真正的转机。

对此传闻，英特尔发言人表示：“我们不对具体客户置评，但在整个生态系统中，Intel 18A 持续受到强烈关注并被广泛参与。”

去年下半年，韩国媒体曾爆料称英特尔Intel 18A制程良率仅10%，并表示博通可能已经取消了与英特尔的合作，该消息当时就引发了业内的极大关注。不过，随后知名分析师Patrick Moorhead和英特尔前CEO帕特·基辛格都在X平台上进行了辟谣。

基辛格还表示，对于现在的芯片来说，用百分比来表示良率是不恰当的。因为有很多的不同类型的芯片，一些大的计算芯片可能良率较低，但一些小芯片良率会比较高。所以，如果不先以定义芯片尺寸为前提，任何使用良率百分比来作为衡量特定制程工艺的水平，都是不了解半导体良率的。

今年2月下旬，英特尔通过官网正式上线了对于其最尖端的Intel 18A制程工艺的介绍，并称其已经“准备就绪”。根据外界预计，Intel 18A将于2025 年年中进入量产，将由酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”处理器首发，预计将于今年下半年上市。

根据英特尔官网的介绍资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET 环栅 (GAA) 晶体管技术，可实现电流的精确控制，同时还率先采用了业界首创的 PowerVia 背面供电技术，可将密度和单元利用率提高 5% 至 10%，并降低电阻供电下降，从而使 ISO 功率性能提高高达 4%，并且与正面功率设计相比，固有电阻 (IR) 下降大大降低。

与Intel 3 工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。英特尔称之为北美制造的最早可用的2nm以下先进节点，可以为客户提供有弹性的供应替代方案。

根据研究机构TechInsights的测算，得出的 Intel 18A 的性能值为2.53，台积电N2的性能值为2.27，三星SF2的性能值为2.19。也就是说，Intel 18A 在 2nm 级工艺中具有最高性能，台积电N2位居第二，三星SF2位居第三。

编辑：芯智讯-浪客剑