三星更改1c纳米级DRAM设计，以确保HBM4量产

2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1c纳米级（10nm级）DRAM的设计，以提升良品率，确保其第六代高频宽內存HBM4的量产。

此前曾有传闻称，三星电子之前计划其 1c DRAM制程2024年底开发完并量产，但因为良率没有提升，导致开发延后6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的HBM4一并延后。

最新的报道也显示，三星1c DRAM在2024年末的试产并未达到预期效果，因为大规模生产准备阶段的良品率通常在60%至70%左右。但是为了提升良品率，三星已经决定调整设计，核心电路线宽保持不变，而外围电路线宽的要求则被放松，这一调整预计将显著提升良品率，确保HBM4内存的稳定量产。

三星的目标是在2025年6月开始量产1c纳米级DRAM，为HBM4的生产铺平道路，HBM4内存是三星未来内存业务的重要组成部分，因此确保1c纳米级DRAM的良品率对于三星的竞争力至关重要。

相比之下，竞争对手SK海力士预计最快在2025年2月开始量产1c纳米级DRAM芯片，将成为全球首家运用1c纳米级工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。

编辑：芯智讯-林子