Rapidus董事长：日本尖端制程技术将追上台积电与英特尔，缩小20多年技术差距

12月14日消息，据日本媒体报道，在近日召开的SEMICON Japan 2023活动上，由日本政府支持的新创晶圆代工厂Rapidus董事长东哲郎表示，他相信日本能够在尖端晶圆制造技术竞赛上，迎头赶上台积电与英特尔等领先者，缩短多达20年的落后差距。

东哲郎表示，Rapidus北海道建厂计划一定会成功，并且大约在2027~2028年期间，相关制程技术将发生改变。因为，新兴的晶体管构架GAA（全环绕栅极）将取代目前主流的FinFET构架，推动半导体制造的进步，可以生产2nm及以下先进制程的芯片。

东哲郎强调，半导体市场正朝着具有特定功能的产品，而不是以通用型芯片的方向来发展，Rapidus希望能够在这个过渡期抢进市场当中，并能够得到日本半导体设备和半导体材料相关公司的全力支持。东哲郎指出，日本必须不惜一切代价创造一个能够诞生尖端技术的平台，这将成为日本年轻一代的新希望之光。

资料显示，Rapidus于2022年8月成立，由丰田、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、电装（Denso）、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立，出资额各为73亿日圆，且日本政府也将提供700亿日圆补助金、作为其研发预算。目标是在5年后的2027年开始量产2nm先进制程芯片。Rapidus计划国产化的对象为使用于自动驾驶、人工智能(AI)等用途的先进逻辑芯片。

今年2月底，Rapidus宣布将在日本北部岛屿北海道的千岁市建造一座2nm晶圆代工厂。Rapidus将基于IBM的2nm制程技术，研发“Rapidus版”制造技术，计划2027年量产。而“Rapidus版”制造技术将会聚焦“高性能计算（HPC）”和“超低功耗（Ultra Low Power）”两大方向。市场消息表示，Rapidus北海道2nm产线将分为三个或四个阶段，称为创新整合制造 (IIM)。IIM-1 阶段将制造 2nm芯片，IIM-2 处理比2nm更先进制程。

今年9月初，Rapidus的2nm晶圆厂已经正式动工建设，目标是在 2025 年之前建立第一条原型产线，随后在2027年量产2nm芯片。届时，日本有望成为继美国、中国台湾、韩国、爱尔兰之后，成为全球第5个拥有导入EUV的芯片量产产线的地区。

目前日本政府正在向Rapidus提供数千亿日元的资金援助，以使其在日本北海道千岁市建设先进制程晶圆厂能够完成。同时Rapidus也与IBM、ASML等开展深度合作，Rapidus也已经派遣100名工程师到IBM学习2nm芯片制造及GAA晶体管技术。

编辑：芯智讯-林子