传SK海力士搁置清州NAND工厂扩产计划，2023年资本支出也将削减25%

7月19日消息，据韩联社（Yonhap）今日引述未具名消息人士的话报导称，面对当前半导体需求转弱的情况，SK海力士董事会已于6月底决定暂缓清州（Cheongju）园区扩产方案，并考虑将2023年的资本支出削减25%至122亿美元。

资料显示，SK海力士今年5月时计划在韩国清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工厂M17，预计2023年初动工，最快2025年竣工。

但是，最新的消息显示，鉴于经济前景高度不确定性，以及半导体市场需求转弱，SK海力士在6月29日的董事会上“急踩煞车”，董事会对大规模投资案转趋谨慎，该扩产计划暂缓实施。

SK海力士回应称，“这件事尚无明确定论”。

另外，韩国总统尹锡悦（Yoon Suk-yeol）也在积极推动韩国龙仁市的芯片供应聚落，SK海力士打算斥资120兆韩元（约924亿美元）兴建四座晶片厂。汉阳大学（Hanyang University）电子工程学教授Park Jae-gun说，若龙仁聚落完工、如期2027年4月运作，那么SK海力士在清州建立新厂的计划就没那么急迫。

TrendForce 最新发布的6月研究报告指出，俄乌冲突、通货膨胀高涨对消费者电子产品需求造成负面冲击，也导致整体DRAM库存增加；这是第三季DRAM价格下滑3%~8%的主因，针对PC、智能手机设计的DRAM产品有跌价超过8%的可能。

编辑：芯智讯-林子