AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

目前的智能手机普遍实现了处理器SoC和内存（DRAM）的堆叠式封装（PoP），从AMD日前公布的信息来看，PC产品也有望实现类似的技术。

在Rice Oil&Gas高性能计算会议上，AMD高级副总裁Forrest Norrod介绍，他们正跟进3D封装技术，目标是将DRAM/SRAM（即缓存等）和处理器（CPU/GPU）通过TSV（硅穿孔）的方式整合在一颗芯片中。

其实此前，AMD就率先推出了HBM显存产品，实现了GPU芯片和显存芯片整合封装，但那仅仅属于2.5D方案。

3D堆叠的好处在于缩短了电流传递路径，也就是会降低功耗。不过，3D封装的挑战在于如何控制发热。

遗憾的是，AMD并未公布更多技术细节。

AMD称，虽然光刻工艺在精进，但是频率甚至要开始走下坡路，需要一些新的设计助力。

其实Intel今年也公布了名为Foveros的3D芯片封装技术，将22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起，功耗仅7瓦。

来源：快科技