SK海力士计划2027年初将1c DRAM产能提高一倍

随着通用型DRAM 价格持续上涨，SK 海力士计划将1c DRAM 的产量提升至一年前原先规划的两倍，以把握1c DRAM 与HBM4 带来的强劲需求。

据韩国媒体The Elec 1月29日报导，SK海力士在整体的存储晶圆产能有限的情况下，将更多资源集中在1c DRAM。该产品不仅可独立销售至消费性市场，更是用于制造高频宽內存（HBM）关键基础。

消息人士指出，SK 海力士已与多家设备供应商展开洽谈，以支撑最新的1c DRAM 扩产计划。公司目标在2027年初前，将1c DRAM 月产能提升至17万至20万片晶圆；相较之下，去年4月时的规划仅为9万片，显示扩产幅度明显加快。

回顾2025年，SK海力士几乎每一季都上修1c DRAM 的产能目标，从去年8月先将月产能提高至12.2万片，10月更进一步上调至15万片。同时，SK海力士也曾指出，目标在2028年底前，将1c DRAM 的月产能扩大至27万片。

在产线布局方面，SK海力士计划于明年将M16 厂的1a DRAM 产线转换为1c DRAM 生产，另一条1b DRAM 产线亦将于明年转作1c DRAM。竞争对手美光也预期，1c DRAM 将成为今年带动营运成长的主要动能之一。

目前市场预期，SK海力士已拿下英伟达HBM4 订单约70%，今年仍稳居全球最大供应商地位。此外，SK海力士也是微软Maia 200 AI 芯片所需的HBM3E 的唯一供应商，进一步巩固其在高端内存市场的领先优势。

编辑：芯智讯-林子