第二代High-NA EUV光刻机加持，传Intel 14A拿下英伟达和AMD订单

12月19日消息，据Wccftech报道，英特尔目前已准备好将其最为先进的Intel 14A工艺节点向广泛外部客户开放。广发证券香港的分析显示，英伟达（NVIDIA）和AMD计划将该工艺应用到自己的下一代服务器CPU产品当中。而在此之前还有传闻称，英特尔赢得了代工苹果公司AI服务器芯片的订单。

为了发展晶圆代工业务，赢得更多的外部客户，在今年年初陈立武出任英特尔CEO之后，就决定不再全力向客户推销Intel 18A制程，而是将晶圆代工业务的员工、设计合作伙伴和新客户的精力都集中到更先进的Intel 14A 制程上，针对关键客户的需求来重新开发Intel 14A 制程。

根据英特尔此前披露的数据显示，Intel 14A相比Intel 18A将带来15-20%的每瓦特性能提升，密度提升30%，功耗降低25-35%。同时，Intel 14A制程及其演进版本14A-E都将会采用第二代的RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，以及全新的PowerDirect直接触点供电技术（18A是PowerVia背面供电技术），并采用High NA EUV光刻技术进行生产。

值得注意的是，近日英特尔宣布其尖端制程晶圆厂已安装了ASML的第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B，这也是目前全球最先进的光刻设备，将用于Intel 14A 节点制程的量产上。

早在2023年底，ASML 向英特尔交货了首套High-NA EUV 光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000。英特尔将其做为试验机，并于2024年初在美国俄勒冈州的Fab D1X 晶圆厂完成安装。之后，该晶圆厂成为英特尔半导体技术研发基地，进一步研发基于High-NA EUV光刻技术的尖端制程。

ASML 第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B 在标准条件下，产量可达到每小时175片晶圆。但英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还在英特尔过去一年多对High-NA EUV 光刻设备的使用经验之上，提升了套准精度达到了0.7nm。

显然，Intel 14A不论是尖端技术的采用、技术指标，还是生产效率的提升，都有望领先于才刚准备引入背面供电技术、并且依然采用标准EUV光刻机生产的台积电A16制程。而这或许也是吸引外部客户的关键原因。

此外，基于Intel 18A 的 Panther Lake 即可将进入大规模量产，并于 2026 年 1 月 5 日在 CES 上首次亮相。广发证券香港的分析显示，Intel 18A的良率已在今年 11 月达到 60-65%，并计划在 2025 年底前达到 70%。

编辑：芯智讯-浪客剑