英特尔安装首套第二代High-NA EUV光刻机，将用于Intel 14A量产

12月17日消息，英特尔宣布该其尖端制程晶圆厂已安装了ASML的第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B，这也是目前全球最先进的光刻设备，将用于Intel 14A 节点制程的量产上。

早在2023年底，ASML 向英特尔交货了首套High-NA EUV 光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000。英特尔将其做为试验机，并于2024年初在美国俄勒冈州的Fab D1X 晶圆厂完成安装。之后，该晶圆厂成为英特尔半导体技术研发基地，进一步研发基于High-NA EUV光刻技术的尖端制程。

根据数据，ASML 第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B 在标准条件下，产量可达到每小时175片晶圆，但英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还在英特尔过去一年多对High-NA EUV 微影曝光设备的使用经验之上，提升了套准精度达到了0.7nm。

英特尔指出，在与ASML 的合作下，已成功证明了最先进的光刻设备在提供改进的精度和生产力方面的技术可行性，为High NA EUV 光刻机未来的大量制造奠定了基础。

英特尔强调，High-NA EUV 光刻机是其晶圆代工技术中的重要能力，结合了自身在掩模、蚀刻、分辨率增强和计量等相关领域的技能，达成了当今芯片所需的更精细晶体管细节。对芯片设计来说，这带来了更灵活的设计规则，减少步骤和掩蔽次数的能力意味着流程更简化，良品率更高，而且时间更短。目前英特尔仍处于早期阶段，但这代表着在为客户提升效率与生产力方面取得了积极进展。