三星电子计划减产HBM3E，将40%的1a DRAM产能转为生产通用DRAM

12月3日消息，据韩国媒体DealSite 报导，为助力公司实现明年利润最大化的目标，三星电子正考虑大幅削减基于其10nm级制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能，以便将生产重心转移到利润率高于HBM3E的10nm 级第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。另一方面，虽然1a DRAM芯片已经过重新设计，但三星认为其利用率仍然较低，因此正在考虑降低产量。

一位熟悉该三星内部情况的负责人表示：“我们内部正在讨论将 30-40% 的 1a DRAM 产能转换为1b DRAM。”他补充道：“如果我们将成熟工艺线（例如 1z）的转换投资也算进去，我们将确保每月额外获得 8 万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。”

目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的标准DRAM，三星电子的1b DRAM主要用于生产通用DRAM产品，包括DDR5、LPDDR5X和GDDR7等。即将量产的HBM4 则基于1c nm及1b nm 制程技术的DRAM产能来生产。由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM抢占产能标准DRAM、短期内DRAM扩产幅度有限等原因，导致基于1b DRAM产能的标准DRAM产品供不应求、价格持续上涨。

因此，三星考虑减产基于1a DRAM芯片的HBM3E的产能，以便扩大基于1b DRAM的标准DRAM产品的产能，以提升获利。

一位知情人士表示：“公司内部有强烈的趋势，力争明年取得优异的外部业绩。我们的核心目标是实现比SK海力士更高的营业利润，并在盈利能力方面明显超越他们。”该人士补充道：“因此，我们目前的目标是保持DRAM产量的高速增长（与近期半导体行业的复苏相符），并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM。”

事实上，近年来三星与SK海力士两家公司之间的盈利差距日益扩大。去年，囊括半导体业务的三星DS部门的营业利润为15.1万亿韩元，而SK海力士的营业利润则高达23.467万亿韩元。预计今年三星的营业利润将达到23.6万亿韩元，但是远低于SK海力士的43万亿韩元。而在2023年半导体行业低迷时期，三星电子DS部门录得14.8795万亿韩元的营业亏损，也几乎是SK海力士亏损的7.7303万亿韩元的两倍。

目前，三星电子12层HBM3E产品的良率也被认为已显著提升，营业利润率预计在30%左右。然而，由于DDR5等通用DRAM的供不应求、价格大幅上涨，使得其营业利润率预计将超过60%，远高于HBM3E产品。此外，业内人士预测，从明年开始，12层HBM3E产品的年均售价还将下降30%以上。因此，对于三星来说，降低HBM3E产能，扩大标准DRAM产出将更有利可图。

虽然三星于今年下半年加入了英伟达的HBM3E供应链，但其供应量仍然有限。这是因为英伟达已经从SK海力士和美光获得了足够的供货量，并计划从明年开始将其主要产品过渡到HBM4。此外，AMD也计划从明年开始主要使用HBM4。

一位半导体行业人士解释说：“三星虽然通过了英伟达的HBM3E认证测试，并开始供货。但明年三星在英伟达HBM3E供应链中的份额将只有个位数”，并且“由于HBM3E与通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生产HBM3E实际上是在赔钱。 ”

除了英伟达和AMD之外，三星电子目前也有向博通、谷歌在内的多家大型科技公司供应HBM3E，减产HBM3E可能会影响到他们。但是三星内部人士认为：“如果美光科技由于重新设计HBM4，使得其HBM4市场竞争力下降，其明年的HBM产能仍将集中于HBM3E，因此其他ASIC客户有望从美光那里获得更多HBM3E产能。”

与此同时，三星电子对其下一代产品HBM4的投资策略依然谨慎。该公司计划在其目前月产能为2万片晶圆的1c DRAM生产线上扩大投资，提升至约8万片晶圆，并将现有成熟工艺升级为1c DRAM工艺，从而在明年年底前将1c DRAM其总产能提升至15万片晶圆。但有传闻称，三星也在考虑进一步削减投资。

此外，三星电子近期决定将其位于平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线改造为通用DRAM生产线。此举是一项战略性的产能重新配置，因为通用DRAM的价格上涨预计将比NAND Flash的价格上涨持续更长时间。

编辑：芯智讯-浪客剑