三星存储部门架构重组，HBM部门重新并入

12月1日消息，据韩国媒体报导指出，三星已针对其存储芯片业务进行了一次大规模的组织架构重组，目的在提升其在下一代存储芯片竞赛中的竞争优势。根据重组计划，三星成立了一个全新的存储技术开发部门，此前独立的HBM部门重新并入。

据介绍，这个新部门的核心工作是整合了三星关键的研发功能，其中特别包括了其高带宽内存（HBM）的开发团队。该部门将由当前负责DRAM产品与技术团队的Hwang Sang-joon领导。 Hwang Sang-joon此前主导了三星高价值DRAM和HBM产品的开发工作，因而受到了高层的肯定，进而来接任该职位。

此前，三星的HBM团队曾是一个独立的部门。 2025年7月，由于DRAM市场占比被竞争对手SK海力士超越，加上对产品良率和稳定性的担忧，于是三星曾将该团队分拆出来，目的是集中人才和资源，以稳定HBM生产并缩小技术差距。

但是，在最新的调整中，HBM团队现已纳入重新规划的存储开发的设计部门之下。这一举措被视为是三星加速发展下一代HBM技术的努力，具体目标包括即将推出的第六代HBM4和第七代HBM4E。消息人士指出，HBM团队的这次重新整合，代表着三星对于其HBM相关的开发和制造流程正常化，保持着新的信心。

目前，三星正积极开发HBM4芯片，准备供应包括英伟达在内的主要客户。而在DRAM技术方面，三星已采取超前部署的策略。尽管许多产业竞争者仍在使用第五代1b等级的DRAM芯片，但三星已采用其第六代1c等级的DRAM技术。预计这项技术进展，将为三星在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）市场中将提供巨大的竞争优势。

另外，有爆料称，三星的1c DRAM良率近期已攀升至70%的区间。据消息来源透露，三星正以进一步改善至80%到90%的良率为目标，以期巩固其在快速扩张的AI和数据中心应用市场中的领导地位。三星计划通过重组和技术整合，正致力于克服过去的生产挑战，并利用其先进的1c DRAM技术，确保在未来的高端DRAM市场竞争中占据优势。

编辑：芯智讯-浪客剑