ASML：High NA EUV更省时间与成本，目前已生产35万片晶圆

光刻机大厂ASML于11月19日在中国台湾举行媒体会，ASML中国台湾暨东南亚区客户营销主管徐宽成指出，随着半导体制程技术持续不断微缩，High NA EUV光刻机将有助于客户节省时间及成本，目前客户已有英特尔、IBM 及三星等，累积超过35万片晶圆使用High NA EUV光刻机曝光。

徐宽成说，当今社会正从芯片无所不在，转变成人工智能（AI）无所不在。AI将驱动半导体先进及成熟制程需求成长，预期2030年全球半导体销售额将突破1万亿美元大关。

当前摩尔定律的延续虽然有挑战，不过未来10至15年仍会依照摩尔定律方向持续发展，半导体制程技术仍将不断微缩。徐宽成说，过去在浸润式光刻推进至极紫外光（EUV）光刻时，业界就曾出现过杂音，目前High NA EUV面临同样的情况。

徐宽成这里所说的关于High NA EUV的杂音，主要是指业界有观点认为，High NA EUV太过昂贵，投入使用所带来的收益将不成比例。

此前，台积电业务开发及全球销售高级副总裁张晓强就曾公开表示，虽然对High NA EUV能力印象深刻，但设备价格超过 3.5 亿欧元（3.78 亿美元）。目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。随后，在荷兰阿姆斯特丹举行的台积电技术论坛欧洲站活动上，张晓强再度重申了其对High NA EUV光刻机的长期立场，该公司的A16（1.6nm级）和 A14（1.4nm级）工艺技术都不会采用 High NA EUV光刻机。

对此，徐宽成指出，High NA EUV设备因具有更高成像质量及简化流程优势，有助于客户节省时间与成本。

据徐宽成介绍，目前ASML的High NA EUV客户有英特尔（Intel）、IBM及三星（Samsung），累计超过35万片晶圆使用High NA EUV光刻机制造。不过，今年9月3日，SK海力士公司曾宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。

除了瞄准尖端制程的High NA EUV之外，ASML也持续优化深紫外光（DUV）微影设备，协助客户以更低成本满足大量DUV曝光需求。此外，ASML还推出XT：260，以支持先进封装应用。

编辑：芯智讯-浪客剑