11月13日消息，TrendForce 调查显示，內存平均销售价格（ASP）持续提升，供应商获利也增加，DRAM 与NAND Flash 之后资本支出会持续上涨，但2026年位产出成长挹注有限。DRAM 和NAND Flash 产业投资重心逐渐转变，从单纯扩充产能转向制程升级、高层数堆叠、混合键合及HBM 等高附加价值产品。
DRAM产业资本支出今年达537亿美元，2026年进一步成长至613亿美元，年增率达14%。NAND Flash部分，资本支出今年为211亿美元，2026年小幅增长至222亿美元，年增约5%。
DRAM各供应商，美光最积极，2026年资本支出达135亿美元，年增23%，专注1gamma制程渗透和TSV设备建置。SK海力士增幅也十分明显，2026年205亿美元，年增17%，以应付M15x的HBM4产能扩张。三星预定投入200亿美元，年增11%，HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。
TrendForce指出，无尘室空间也不足，检视所有DRAM供应商产能空间，仅三星与SK海力士仍有小幅扩大产线的机会，美光则需等待美国ID1新厂落成，最快2027年才能产出，任何后续上修资本支出对2026年位产出贡献皆非常有限。
NAND Flash各供应商，铠侠／SanDisk和长江存储因没有DRAM业务，认为是最积极扩大产能以巩固地位的厂商。铠侠／SanDisk投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发。美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能并专注G9制程和企业级SSD业务，资本支出年增幅达63%。三星和SK海力士／Solidigm则缩减或限制NAND Flash资本支出，投资应优先转向HBM和DRAM。
TrendForce分析，此次NAND Flash产业需求的爆发，主要受AI储存容量需求急速攀升，以及HDD供应不足导致云端服务供应商（CSP）转单带动。此现象属结构性短缺，而非短暂市场波动。
过去数年产业经历多次景气循环，部分厂商资本支出与扩产策略更趋保守。2026年资本支出重心为制程升级和导入hybrid- bonding而非扩产，导致供应位增幅有限，TrendForce认为，NAND Flash市场供不应求将延续2026全年。
