传美光HBM4开发遇阻，量产或将推迟

10月30日消息，据韩国媒体mk.co.kr报道，由于美光（Micron）的HBM4产品仍难以满足英伟达（NVIDIA）对性能和功耗的要求，导致美光可能需要重新设计HBM4芯片架构。如果消息属实，那么将导致美光HBM4的量产延后长达9 个月，这也意味着其在2026年内都将难以实现量产，将错失英伟达的订单。

今年9月，SK海力士率先宣布，其新一代的HBM4已完成开发并进入量产，完全满足客户的性能要求，支持行业领先的速度，出货将于今年第四季度开始，并计划在明年全面扩大销售。有消息称，SK海力士的HBM4已经通过了英伟达的验证。

三星为避免导致其在 DRAM 领域失去主导地位，希望通过其基于更先进的1c DRAM 的 HBM4的大规模生产，来确保对SK海力士的竞争优势。根据此前的传闻，三星1c DRAM良率突破50%，HBM4 逻辑芯片良率已达到惊人的 90%。三星HBM4预计将会在今年四季度，目前暂未有延迟迹象。

业界人士指出，HBM4 是针对AI 与资料中心高功耗运算而设计的关键元件，对频宽、功耗与堆叠整合的要求远高于前代。相较之下，SK hynix 已在上月率先完成全球首条HBM4 量产线，三星电子也在本月的「2025 半导体大展（SEDEX）」上公开HBM4 实品并启动量产准备，技术差距正进一步扩大。

分析指出，美光若持续落后于SK海力士和三星，不仅将错英伟达的HBM4的主要采购机会，也可能在新一轮AI数据中心订单中被SK海力士和三星排挤。市场预期，短期内HBM4 市场仍将由SK海力士与三星主导，美光能否在2026 年重回竞争行列，将取决于其HBM4 设计修正与良率提升的进度。

编辑：芯智讯-浪客剑