10月22日，三星电子在2025 年半导体展 （SEDEX） 上首次向公众展示了其研发的HBM4内存，这表明三星已经为即将到来的HBM4量产做好了准备，按计划将于年底启动量产。
据报道，三星正在避免导致其在 DRAM 领域失去主导地位的错误，希望通过其基于更先进的1c DRAM 的 HBM4的大规模生产，来确保对SK海力士的竞争优势。根据DigiTimes 的报道，三星的 HBM4 逻辑芯片良率已达到惊人的 90%，这表明该公司正按计划进行量产，更重要的是，目前预计不会出现延迟。
相较于前一代HBM3e，三星过去在品质与英伟达（NVIDIA）认证速度上一度落后于SK hynix 与Micron，而整体HBM 市场也长期由SK hynix 占据主导地位。此次HBM4 的亮相，被视为三星加速追赶、试图以更快的量产节奏与更成熟的技术重新夺回领先权的关键一步。
业界预期，HBM4 将成为支撑下一代AI芯片与超大型数据中心（Hyperscale Data Center）的核心存储器。如果三星HBM能在良率与供应稳定性上率先突破，将有望在生成式AI 时代与SK Hynix 并驾齐驱。根据三星公布的数据，其HBM4 堆叠层数达到了12层，传输速率提升至11 Gbps 。此外，三星电子还计划加快其下一代HBM4E 内存的研发，预计速率将高达 13Gbps，比 HBM3E 快 2.5 倍以上，且能效提升一倍。该项突破计划于 2027 年实现量产，以满足 NVIDIA 在 AI 和下一代 GPU 领域对高带宽内存的需求。
随着AI 模型规模持续扩张，以及高性能计算（HPC）系统对带宽与性能需求不断攀升，HBM4 的量产进度将直接影响英伟达、AMD 等主要AI 晶片供应链的布局。市场分析指出，如果三星能如期在今年底启动量产，将有助于其在2025 年重返AI HBM 存储器主流供应阵营，扭转近年由SK Hynix 领先的市场格局。
值得一提的是，SK海力士还在此次活动中展示了其与台积电合作开发的HBM4模块。此前的消息显示，SK 海力士的HBM4采用成熟的1b DRAM制程与MR-MUF 封装方案，此前整体良率预计超过70%，也已达量产获利门坎。
编辑：芯智讯-浪客剑
