需求旺盛，三星平泽V8 NAND Flash产线产能利用率提升至80%

10月21日消息，据韩国媒体ZDNet KOREA报导，受益于人工智能（AI）所带来的存储芯片需求，三星电子近期已显著提高了其位于韩国平泽园区内的主力第八代（V8）NAND Flash产线的产能利用率，已经达到了80%。

报道称，三星平泽园区内的主力NAND Flash产线主要生产V8 NAND Flash，产能利用率在2025年第二季仍维持在60%至70%的平均水平。然而，进入第三季之后，该生产线的稼动率已快速提升至80%的水准，这代表第三季的产能利用率较上一季提高了超过10%。

除了终端市场侧，NAND Flash价格自三季度以来开始出现快速上涨之外，上游供应链活动也反映了存储产业强劲增长的迹象。其中，用于制造相关NAND Flash的材料与零件订单量，从2025年年中开始也同步增加了数量。

对此，韩国半导体业相关人士指出，由于市场情况持续改善，下半年V8 NAND的库存出现急剧下降的情况，促使三星电子重新增加生产量。业界预计，第三季的产能利用率至少将维持在80%以上，且第四季市场预期也将持续保持。

V8 NAND是三星电子从2022年底开始量产的主力NAND Flash产品，它的堆叠层数高达236层，目前与V6 NAND共同做为三星电子的核心产品线。 V8 NAND的生产能力估计约为每月10万片晶圆。

市场分析显示，现阶段市场上推动整体NAND Flash情况快速改善的主要动力，源于AI基础设施对储存设备的强劲需求。目前NAND Flash需求的增长，主要由服务器用的企业级SSD领域所主导。

目前，服务器用的SSD主要搭载QLC NAND Flash。 QLC的优势在于每个单元可储存4个位元，相较于TLC仅能储存3个位元，这更有利于在高容量储存设备的使用。虽然三星电子的V8 NAND Flash主要由TLC 构成，主要用于消费级应用。但是，随着整个NAND Flash供应链转向企业级SSD，消费级SSD 的库存也正在迅速减少。因此，三星电子的V8 NAND Flash虽然是间接间接于这一整体趋势，但市场改善带来的效应十分显著。

根据市场调查及研究机构TrendForce的分析也显示，NAND Flash的平均销售价格（ASP）预计将在2025年第三季和第四季分别上涨约5%至10%。价格提升的核心原因，在于存储供应商在上半年实施的减产策略有效减少了库存，同时市场总体需求有所增加。

编辑：芯智讯-浪客剑