传三星将解散1c DRAM良率小组，直接推进HBM4量产

10月15日消息，据《朝鲜日报》报导，三星电子内部正讨论解散负责1c DRAM 良率优化的专案小组（TF），以便将人力与资源全面转向HBM4 量产准备，力拼在年底前打入英伟达供应链，重夺高端内存市场的主导权。

报道称，三星此次计划采用更先进的1c DRAM 做为HBM4 的核心芯片（Core Die），理论上可实现更高带宽与能源效率。不过有报导指出，其在“冷测”（Cold Test）阶段的良率仅约35%至50%，仍低于量产标准。由于1c 制程线宽进一步缩小，制程控制误差的容忍度低于1b DRAM，光刻与蚀刻难度大幅提升。

为了解决良率问题，三星副会长全永铉上任后，集合內存事业部的核心工程师，成立TF 团队，专注于1c 制程的稳定性与良率提升。但在新的量产时间规划的压力下，三星似乎决定跳过内部量产批准（PRA）程序，直接投入HBM4 量产体系的建构。

业界分析指出，即使良率未达理想，三星也要凭借产品代差与性能优势突围。熟悉内情人士透露，三星内部宁可牺牲短期效率，也要在HBM4 成为新标准前抢回技术主导权。

相较之下，SK 海力士据称已经完成了HBM4 量产准备，因为其采用成熟的1b DRAM制程与MR-MUF 封装方案，良率预计超过70%，已达量产获利门坎。

根据Counterpoint Research 统计，今年第二季全球HBM市场SK海力士的市占率为62%、美光为21%、三星仅17%。这是三星首次跌至第三。业界分析认为，若三星无法在短期内稳定HBM4 量产良率，市占差距恐进一步扩大。

随着AI 训练需求推升HBM 需求量倍增，业界普遍预期HBM4 将成为2025之后最具关键的内存战场。能否率先掌握量产节奏和良率，将决定全球内存的格局是否会重新洗牌。

另外，三星电子还计划加快其下一代HBM4E 内存的研发，预计速率将高达 13Gbps，带宽高达 3.25TB/秒，比 HBM3E 快 2.5 倍以上，且能效提升一倍。该项突破计划于 2027 年实现量产，以满足 NVIDIA 在 AI 和下一代 GPU 领域对高带宽内存的需求。

编辑：芯智讯-林子