SK海力士宣布321层2Tb QLC NAND量产

8月25日，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。

一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面2（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

需要指出的是，这里的平面（Plane）是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能（Data Bandwidth）之一的同时读取性能。

因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。

SK海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和面向智能手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术（32 Die Package），实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’，实现更大的飞跃。”

注：NAND闪存芯片根据每个单元（Cell）可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC（Single level Cell，1bit）、MLC（Multi Level Cell，2bit）、TLC（Triple Level Cell，3bit）、QLC（Quadruple Level Cell，4bit）、PLC（Penta Level Cell，5bit）等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。

编辑：芯智讯-林子