6月12日消息，据半导体研究机构SemiAnalysis的最新研究显示，虽然在《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）的资助下，许多厂商在美国的晶圆厂开始建设或即将进入量产阶段，但部分建厂因为环境审查与当地居民抗议而尚未动工，陷入“邻避情结”（NIMBY）或许可流程长达两年的状况。目前受影响的项目包括Amkor（安靠）在亚利桑那州的先进封装厂、美光在纽约的DRAM晶圆厂，以及SK 海力士在印第安纳州HBM 工厂。

Amkor斥资20亿美元建封装厂计划受阻

Amkor 计划斥资20亿美元，在亚利桑那州皮奥里亚市（Peoria）附近兴建芯片封装厂，但面临当地居民的强烈反对。居民担心此案会对水资源造成压力，并加剧交通壅塞情况，部分居民甚至扬言控告，并要求该项目迁址。

Amkor 先进封装设施建成后将拥有超过50万平方英尺（约46,451平方公尺）的无尘室空间，供应对象包括台积电Fab 21 厂区与十多家供应商。由于苹果已承诺在台积电Fab 21 生产芯片、并于Amkor 厂进行封装，因此建厂计划能否实施，也将影响苹果芯片的供应。

美光耗资千亿美元的园区延误，每天损失500万美元

美光宣布在纽约州中部的克莱（Clay）投资为期长达20年的1,000亿美元计划，建造超大型DRAM 生产基地，这将是美国史上最大內存厂的投资案。但是如今该项目却因环评程序遭到延误，大众意见征询期间延长至8月，加上社区反对声浪尚未解决，原预定2024年动工被迫延后。

该厂计划将建置四间无尘室，总面积达60万平方英尺（约55,700平方公尺），大约是格罗方德Fab 8 厂无尘室空间的八倍，而初期建设将先耗资200亿美元。

然而，因严重延后，美光现在必须另寻管道，弥补DRAM 产能缺口。有报导称，这座200亿美元的晶圆厂延后，使得美光每日损失约500万美元。

美光原计划在2030年代中期前，在美国生产40%DRAM 产能，并同时运作爱达荷州博伊西（Boise）厂与纽约克莱厂，但因为目前建造工程延宕，能否如期实现目标仍是未知数。

SK 海力士虽获批准，但过程艰辛

SK 海力士斥资38.7亿美元，在美国印第安纳州西拉法叶（West Lafayette）兴建首座HBM 先进封装厂，预期2028年下半年开始营运。虽成功获批，但SK 海力士先前面临当地居民反对，理由是工业设施靠近住宅区可能对生活质量造成影响，使得该案近乎卡关，最终是在与市议会长达七小时的会议后才得以通过。

SK 海力士的HBM 先进封装厂预期可创造多达1,000个工作机会，该公司也计划与普渡大学（Purdue University）合作，开展未来的研发项目。

根据SemiAnalysis 报导，为防止未来开发案再度出现类似状况，美国部分州政府正着手建立“预先核准”的工业用地，如北卡罗来纳州、宾夕法尼亚州与俄亥俄州，已投入资金开发大型场址，这些用地都配备水电等基础设施，并完成初步环评审核，可直接用于制造设施，无须耗时的许可程序，因此更吸引半导体企业进驻。

支持该策略的人指出，这类策略在前期即完成基础准备，有助降低开发成本、简化法规流程、加速供应商投入承诺。由于基础设施已经先行规划，州政府也能设置罚则，若企业未履行投资承诺，即可追究责任，提高执行力。另据“安全与新兴技术中心”（Center for Security and Emerging Technology）分析，设施获得许可的速度如今已决定半导体产能扩张进度、及各国对大型芯片企业吸引力的关键因素。

编辑：芯智讯-林子 来源：SemiAnalysis