5月29日，半导体封测大厂日月光半导体宣布推出具备硅通孔（TSV）的扇出型基板上芯片桥接技术（FOCoS-Bridge），推动人工智能（AI）技术发展，并加速AI 对全球生活的深远影响。

据介绍，日月光FOCoS-Bridge 利用TSV（硅通孔）技术提供更短的传输路径，实现更高的I/O 密度与更好的散热性能，满足日益增长的带宽需求。 TSV 的整合扩展了日月光VIPack FOCoS-Bridge 的技术能力，可在AI 和高性能运算（HPC）应用需求空前高涨的时候提供关键的能源效率。

日月光半导体表示，小芯片（Chiplet）和高带宽內存（HBM）整合将需要更高的互连密度，以实现更高速的平行数据连接并保持信号完整性。高密度互连是芯片整合的关键技术。随着AI 和HPC 电力传输需求变得越来越复杂，迫切需要具备TSV 的先进桥接芯片。VIPack FOCoS-Bridge 平台可嵌入被动和主动芯片，用于提高电源完整性并提供直接存取以增进性能。

日月光执行副总Yin Chang 表示，“从智慧制造系统、自动驾驶汽车，到下一代零售基础设施和精准医疗诊断，AI 日渐融入各种应用领域，推动运算需求和能源效率需求呈指数级增长。我们推出具备TSV 的FOCoS-Bridge，彰显日月光整合解决方案支持人工智慧生态系统的承诺。这项创新增强了我们的VIPack 产品组合，并针对可持续的高效能运算构架，提供了一个最佳化可扩展的高密度封装平台。”

VIPack 平台的持续扩展反映了日月光的策略愿景—为可持续的高效能运算提供全面、可扩展的生态系统，满足新兴AI 工作负载的急遽需求。日月光具备TSV 的FOCoS-Bridge 可以透过用于高功率和高带宽系统的异质整合，来满足下一代AI 和HPC 性能需求。目前已经实现由两个相同的扇出模块组成的85mm x 85mm 测试载具（Test Vehicle）—每个模块以四个TSV 桥接芯片以及10个整合式被动元件芯片，横向互连一个ASIC 芯片和四个HBM3 芯片。

结合传统的横向信号连接，TSV 桥接芯片为电力传输提供更短的垂直路径。TSV 和被动元件皆嵌入在重布线层（RDL），并以5µm 线宽/线距的三层RDL互连。与FOCoS-Bridge 相比，FOCoS-Bridge TSV 的电阻和电感分别大幅降低了72%和50%。

日月光研发处长李德章表示，HPC 和AI 日益增长的应用加速了高运算性能需求，日月光FOCoS-Bridge 可实现SoC 和Chiplets 与高带宽內存的无缝整合。透过采用TSV，FOCoS-Bridge 提高了运算和能源效率，并将我们的先进封装技术组合提升到一个新的水准。

FOCoS-Bridge 技术已经证明提供更高带宽和更快数据传输速率的能力，以满足AI 和HPC 应用。利用高度整合的扇出结构优势，FOCoS-Bridge 突破传统电性互连的局限，实现处理器、加速器和内存模块之间的高速、低延迟、节能的数据通信。除了可以在扇出型封装中嵌入被动和主动芯片，FOCoS-Bridge 还提供了整合去耦合电容器的选项，用于优化电源传输，以及主动芯片用于特定功能（如内存、I/O 等）之间的互连。

日月光工程和技术推广处长Charles Lee 表示，“日月光长期处于封装产业前沿，是高功率AI 和HPC 应用的先进封装领导厂商。我们的优势在于我们有能力提供创新技术，满足快速发展的市场中客户不断变化的需求。”

编辑：芯智讯-林子