泛林集团推出全球首个金属钼原子层沉积设备ALTUS Halo

2月19日，泛林集团宣布推出全球首个利用金属钼的能力生产尖端半导体的工具ALTUS Halo，可以为先进半导体器件提供卓越的特征填充和低电阻率、无空隙钼金属化的高精度沉积。

泛林集团表示，ALTUS Halo是ALTUS 产品系列的最新成员，目前正在与所有领先的芯片制造商进行资格认证和爬坡，它代表了半导体金属化新时代的转折点，为未来人工智能、云计算和下一代智能设备的高级存储器和逻辑芯片的扩展铺平了道路。

ALTUS Halo 利用钼的潜力随着下一代应用的性能要求不断提高，对更先进半导体和新制造工艺的需求也在增加。金属的逐原子沉积在当今所有尖端芯片的制造中都是必不可少的。钨基原子层沉积技术由泛林集团率先提出，二十多年来一直是用于接触和线的沉积和无空隙填充的主要金属化技术。然而，为了在未来扩展 NAND、DRAM 和逻辑器件，芯片制造商需要将金属化程度转变为超越目前钨集成所能实现的程度。凭借 ALTUS Halo，泛林集团在半导体行业从钨到钼的过渡中发挥着领导作用。

“基于泛林集团深厚的金属化专业知识，ALTUS Halo 是 20 多年来原子层沉积领域最重大的突破，”Lam Research 高级副总裁兼全球产品集团总经理 Sesha Varadarajan 说。“它汇集了泛林集团的四站模块架构和 ALD 技术的新进展，为大批量制造提供工程化的低电阻率钼沉积，这是新兴和未来芯片变化的关键要求，包括 1,000 层 3D NAND、4F2DRAM 和先进的 gate-all-around logic。

钼实现下一代芯片

所需的低电阻金属化为了使半导体工作，快速电信号通过 3D NAND 字线等连接来发送命令。纳米级特征被蚀刻，当不能使用铜时，它们传统上会填充钨以形成必要的连接。金属电阻率越低，信号速度越快。此外，在传统的钨基布线中，会添加额外的阻挡层以防止不必要的电气相互作用。随着 NAND、DRAM 和逻辑扩展到更复杂的架构（包括 3D 集成），电信号必须通过更严格的连接。这增加了瓶颈和速度变慢的可能性，在某些情况下还增加了电气短路的可能性。

钼是这些和未来应用的理想金属，因为它在纳米级线中的电阻率低于钨，并且不需要粘附层或阻挡层，从而减少了工艺步骤的数量，提高了效率并有助于提高芯片速度。基于数十年的金属化和先进开发专业知识，以及沉积技术的新创新，Lam 首次使钼的 ALD 可用于大规模生产。在大多数情况下，与传统的钨金属化相比，ALTUS Halo 的电阻提高了 50% 以上。

ALTUS Halo 已开始量产

ALTUS Halo 提供半导体行业中最精确、最先进的钼沉积。ALTUS Halo 工具系列针对一系列金属化需求进行了优化，能够使用化学和热柔韧性以及等离子体为温度敏感应用进行保形或选择性沉积，并带有自下而上的填充特征。

在韩国和新加坡设有晶圆厂的领先大批量 3D NAND 制造商以及先进的逻辑晶圆厂已开始采用早期采用，同时 DRAM 客户的开发仍在继续。

“钼金属化的集成使美光能够在最新一代 NAND 产品中率先推出行业领先的 I/O 带宽和存储容量，”美光 NAND 开发公司副总裁 Mark Kiehlbauch 说。“泛林集团的 ALTUS Halo 工具使美光能够将钼投入大规模生产。”

编辑：芯智讯-浪客剑