三星HBM3E仍未通过英伟达认证，根源在1a制程DRAM？

10月17日消息，据韩国媒体ZDNet Korea报导，虽然三星今年以来积极地想通过英伟达HBM3E认证，期望打入英特尔的供应链，但8层堆叠的HBM3E产品仍未通过认证，12层堆叠的产品很可能将延后至2025年第二季或第三季之后才有机会供应。

有专家指出，三星HBM问题就是核心芯片DRAM。HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠连接，DRAM性能与HBM性能直接相关。因此怀疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM出了问题。

报道解释称，10nm级制程DRAM产品，分为第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM线宽约14nm，三星于2021下半年量产，尽管比对手早，还用了EUV来提高产能，但未让三星1a制程DRAM竞争力提升，反而因用EUV难度较高，让三星1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。

另外，三星1a制程DRAM设计不够完美，尤其服务器产品开发受挫，使商用较竞争对手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服务器产品率先通过英特尔认证，而三星HBM3E却迟迟无法通过英伟达认证。

三星日前平泽产线全面清查英伟达认证过八层堆叠HBM3E产品，但没有问题，三星自行检查只查出数据处理速度低于其他产品，较SK海力士和美光产品低约10%。

三星考虑新方法，就是部分重新设计1a制程DRAM，之后再恢复服务器DRAM和HBM产品竞争力。市场人士表示，三星还未最后决定。但若重新设计，三星须承受更大营运压力。

目前三星正面临半导体业务获利压力，此外智能手机、家电、显示器等部门都面临困境。此前由于三季度营业利润低于市场预期，三星电子还罕见地发布声明致歉。

编辑：芯智讯-浪客剑