传三星将抢先台积电拿到High NA EUV光刻机

8月16日消息，据韩国首尔经济日报报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季在韩国华城园区开始安装首套High-NA EUV，预计2025年中启用，首先会用于开发2nm以下逻辑制程，以及先进的DRAM芯片制程。三星也计划与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

ASML目前有十多套High NA EUV光刻机订单，今年4月英特尔率先完成了全球首台High NA EUV光刻机安装，近期英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在2024年第二季财报会议上透露，其俄勒冈州半导体研发基地即将迎接第二套High NA EUV光刻机的进驻。除了英特尔之外，台积电、三星、SK海力士及美光都在排队等待High NA EUV光刻机。

之前的消息显示，台积电将于今年年底导入High NA EUV光刻机，三星和SK海力士可能要等到2025年，最快2025下半年。但根据最新的市场消息来看，三星有机会比台积电早拿到High NA EUV光刻机。

资料显示，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的分辨率为 8nm，可以实现比现有EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。并且，EXE:5000每小时可光刻超过 185 个晶圆，与已在大批量制造中使用的 NXE 系统相比还有所增加。ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。不过High NA EUV光刻机的售价也是十分的高昂，高达3.5亿欧元一台。

编辑：芯智讯-林子