传美国将进一步限制GAA技术及HBM对华出口

6月12日消息，据彭博社援引知情人士的话报道称，美国拜登政府希望进一步限制中国获得用于制造尖端芯片的全环绕栅极（GAA）晶体管技术，同时还有消息称，美国还将限制高带宽内存（HBM）技术的对华出口，这对人工智能加速器至关重要。

报道称，GAA晶体管技术将进一步提升晶体管密度，同时提供了功率和性能优势，但该技术目前仅用于最尖端的工艺节点。目前，只有三星在其 3nm 节点上生产了这项技术。英特尔将在其Intel 20A 节点中采用 GAA，台积电则计划在2nm制程上采用GAA技术。

美日欧现有的对华出口管制政策，限制了中国获得16/14nm以下先进制程所需的半导体制造设备。尽管如此，中国还是有其他方法可以规避这些限制并提高其现有工艺节点的性能，此前的信息显示，中国已经具备7nm制程的量产能力，同时有可能在无需EUV光刻机的情况下实现5nm制程的量产。

甚至中国晶圆制造商可以将GAA晶体管技术移植到其现有的7nm工艺节点上，虽然这不能提供使用3nm GAA及以下工艺的技术的全部好处，但可以想象，它将在功率和性能方面有所提高。由于GAA是通过单一图案完成的，因此中国可能会利用其现有的芯片制造工具完成这一壮举。

华为云服务首席执行官张平安认最近表示，他认为中国不会在短期内获得3.5nm或更小芯片的芯片制造设备，所以中国应该努力更好地利用其现有的7nm工艺节点。

此前美国已经对GAA技术实施了出口管子，目前尚未有任何加强限制的条件的官方消息。相关的传闻都是不具名的，所以真实性依然存疑。

不过，对HBM出口的新限制可能并不是那么的遥远，因为HBM对于人工智能芯片的开发和生成式人工智能模型的发展非常重要，而人工智能技术是美国重点关注和对华限制的领域。

编辑：芯智讯-浪客剑