英伟达下一代R100芯片将升级3nm工艺，2025年底量产

5月10日消息，天风证券分析师郭明錤近日针对英伟达（Nvidia）下一代AI芯片R100进行了预测更新，R100系列基于以天文学家Vera Rubin命名的构架，将于2025年底进入量产。

郭明錤猜测，R100将采台积电N3制程，基于CoWoS-L封装。据悉，R100使用约4倍光罩尺寸，但中介层（Interposer）尺寸设计尚未确定，目前有2–3种选择；搭配的高带宽内存（HBM）则有机会升级至HBM4。

目前GH200和GB200的CPU采用台积电N5制程，今年推出的B100则采台积电N4P制程，同样是CoWoS-L封装。至于GR200很可能采台积N3制程。

郭明錤预期，英伟达将于2025年第四季量产R100处理器，系统和机架解决方案将于2026年上半年投产。

不过，B200 GPU配置功耗最高可达1,000W，GB200解决方案功耗最高可达2,700W，数据中心运作时，供电和降温将遇挑战。因此郭明錤推测，英伟达认识到AI服务器耗能已成为云端服务供应商（CSP）和超大规模服务商（Hyperscale）采购与数据中心建置挑战，因此R系列的芯片与系统方案，除了提升AI算力外，设计重点之一是改善耗能。

编辑：芯智讯-林子