英伟达下一代R100芯片将升级3nm工艺,2025年底量产

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5月10日消息,天风证券分析师郭明錤近日针对英伟达(Nvidia)下一代AI芯片R100进行了预测更新,R100系列基于以天文学家Vera Rubin命名的构架,将于2025年底进入量产。

郭明錤猜测,R100将采台积电N3制程,基于CoWoS-L封装。据悉,R100使用约4倍光罩尺寸,但中介层(Interposer)尺寸设计尚未确定,目前有2–3种选择;搭配的高带宽内存(HBM)则有机会升级至HBM4。

目前GH200和GB200的CPU采用台积电N5制程,今年推出的B100则采台积电N4P制程,同样是CoWoS-L封装。至于GR200很可能采台积N3制程。

郭明錤预期,英伟达将于2025年第四季量产R100处理器,系统和机架解决方案将于2026年上半年投产。

不过,B200 GPU配置功耗最高可达1,000W,GB200解决方案功耗最高可达2,700W,数据中心运作时,供电和降温将遇挑战。因此郭明錤推测,英伟达认识到AI服务器耗能已成为云端服务供应商(CSP)和超大规模服务商(Hyperscale)采购与数据中心建置挑战,因此R系列的芯片与系统方案,除了提升AI算力外,设计重点之一是改善耗能。

编辑:芯智讯-林子

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