传三星已试产第二代3nm制程，力拼良率超过60%

1月22日消息，据韩媒《朝鲜日报》引述业界人士的话表示，三星已开始制造第二代3nm制程（SF3）的试制品，并测试芯片性能和可靠性，目标是6个月内力拼良率超过60%。

台积电、三星都在积极争取客户，准备上半年量产第二代3nm GAA构架制成，能否满足英伟达（Nvidia）、高通、AMD等大客户需求，同时迅速提高产量，是竞争中能否成功的关键。

三星在去年11月曾宣布，将于2024下半年量产SF3制程。目前三星正测试SF3试制芯片的性能和可靠性，首款产品将是即将推出的Galaxy Watch 7所搭载的应用处理器（AP），预计明年Galaxy S25系列所搭载的Exynos 2500芯片也将采用。

不过，智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有60%，要商用相当困难，但若是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率为60%，就相当合理。

如果SF3产量和性能稳定，拿些转向台积电的客户将有机会回流三星。例如三星就相当关注与高通的合作。高通此前曾将旗舰芯片交给三星代工，但是由于发热问题，随后高通不得不转向了台积电，高通新一代的Snapdragon 8 Gen 3也是由台积电代工生产的。此外，英伟达和AMD的高端芯片也都是交由台积电代工，英伟达新一代的H200、B100和AMD的下一代CPU和AI芯片也预计将会采用台积电3nm制程。

编辑：芯智讯-林子