存储芯片减产持续至2024年

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针对 NAND Flash 目前的市场表现,包括市场调查研究机构及外资的研究报告都表示,当前供应商的减产状况将持续,使得价格有逐渐恢复的趋势。不过,整体市场供需与价格要回复到健康的水准,预计整体还需要一段时间的努力。

据市场调查及研究机构TrendForce最新的预测显示,预计2024年存储芯片原厂对于 DRAM 与 NAND Flash 的减产策略仍将延续。尤其,以亏损严重的 NAND Flash 更为明确。预估在 2024 年上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗,加上通用型服务器的资本支出仍受到 AI 服务器排挤而显得相对需求疲弱下,鉴于 2023 年基期已低,加上部分存储产品价格已来到相对低点,预估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成长率分别有 13% 及 16%。

不过,尽管需求位元有回升,2024 年若要有效去化库存,并回到供需平衡状态,重点还是仰赖供应商对于产能有所节制。一旦供应商产能控制得宜,存储芯片均价则有机会反弹。

而针对这样的表现,亚系外资报告也指出,自 2023 年 8 月下旬起,NAND Flash 价格出现两位数上涨。这情况主要来自于 NAND Flash 减产的幅度越来越大,下游智能手机及智能手机相关零组件的库存已经不是很高,而且近几个月不同品牌也陆续推出新产品。

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小米在日前的财报会议上也分享了相同的观点,表示相信某些零组件和材料的价格会进一步下跌的情况,目前看来可能性较小。在此情况下,接下来 2023 年第 4 季营收和获利可能开始大幅成长。

至于,美系外资方面也表示,日前更新了全球存储芯片平均售价展望,以反映包括三星在内的主要存储芯片制造商的产量大幅减少。预计存储芯片制造商将通过大幅度减产,防止记忆体平均价格的进一步下降,这将威胁到 NAND Flash 现金成本水准。因此,预计三星有意义地减产存储产品,将有助于稳定 2023 年存储芯片平均售价,并为整个 2024 年存储芯片市场平均售价的稳定复苏奠定基础。

编辑:芯智讯-林子  来源:TrendForce

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