针对 NAND Flash 目前的市场表现，包括市场调查研究机构及外资的研究报告都表示，当前供应商的减产状况将持续，使得价格有逐渐恢复的趋势。不过，整体市场供需与价格要回复到健康的水准，预计整体还需要一段时间的努力。

据市场调查及研究机构TrendForce最新的预测显示，预计2024年存储芯片原厂对于 DRAM 与 NAND Flash 的减产策略仍将延续。尤其，以亏损严重的 NAND Flash 更为明确。预估在 2024 年上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，加上通用型服务器的资本支出仍受到 AI 服务器排挤而显得相对需求疲弱下，鉴于 2023 年基期已低，加上部分存储产品价格已来到相对低点，预估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成长率分别有 13% 及 16%。

不过，尽管需求位元有回升，2024 年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是仰赖供应商对于产能有所节制。一旦供应商产能控制得宜，存储芯片均价则有机会反弹。

而针对这样的表现，亚系外资报告也指出，自 2023 年 8 月下旬起，NAND Flash 价格出现两位数上涨。这情况主要来自于 NAND Flash 减产的幅度越来越大，下游智能手机及智能手机相关零组件的库存已经不是很高，而且近几个月不同品牌也陆续推出新产品。

小米在日前的财报会议上也分享了相同的观点，表示相信某些零组件和材料的价格会进一步下跌的情况，目前看来可能性较小。在此情况下，接下来 2023 年第 4 季营收和获利可能开始大幅成长。

至于，美系外资方面也表示，日前更新了全球存储芯片平均售价展望，以反映包括三星在内的主要存储芯片制造商的产量大幅减少。预计存储芯片制造商将通过大幅度减产，防止记忆体平均价格的进一步下降，这将威胁到 NAND Flash 现金成本水准。因此，预计三星有意义地减产存储产品，将有助于稳定 2023 年存储芯片平均售价，并为整个 2024 年存储芯片市场平均售价的稳定复苏奠定基础。

编辑：芯智讯-林子  来源：TrendForce