三星第9代V-NAND闪存明年量产：采用双堆栈架构，超过300层

8月18日消息，据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。

三星在去年底就已经开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。

值得一提的是，在8月8日，SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。

SK海力士表示，321层堆叠的1Tb TLC 4D NAND Flash闪存性能，相比上一代238层堆叠的512Gb 4D NAND Flash闪存提高了59%。而提升性能的原因在于数据储存单元可以用更多的单片数量堆叠到更高，这使得在相同大小面积的芯片上达到更大储存容量，也进一步增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

不过，目前SK海力士的这款321层堆叠4D NAND Flash还需要进一步优化，计划到2025年上半年才开始量产供货。相比之下，三星的超过300层的第9代V-NAND闪存要更早量产。

编辑：芯智讯-林子