6月8日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片在2022年8月开发完成后，目前已经开始量产，并且产品兼容性正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。

据介绍，SK海力士238 层堆叠技术 NAND Flash芯片，与上一代 176层堆叠 NAND Flash芯片相比，最高传输速率提升了50%达2.4Gb/s，使得整体的平均读写速度提升了约20%，同时制造效率也提高了 34%，使得成本竞争力显著提升。

SK 海力士表示，最新的238层堆叠的NAND Flash芯片较上一代176层堆叠的产品在价格、性能和质量方面都有世界级的竞争力。SK 海力士预计，这些产品将在下半年推动公司获利的成长。

SK 海力士表示，采用238层堆叠技术的NAND Flash芯片已于5月投入量产，正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。一旦完成与全球智能手机制造商的产品兼容性测试，将开始为智能手机供应 238 层堆叠的 NAND Flash 芯片产品，并将该技术扩展到其产品组合，例如 PCIe 5.0 SSD 和大容量服务器 SSD 中。

SK 海力士 S238 NAND Flash 负责人 Jumsoo Kim 表示，我们将继续克服 NAND Flash 技术限制，并提高竞争力，以便在即将到来的市场反弹中，达成比其他任何人都更大的转变。

值得注意的是，早在去年7月底，美光已率先宣布量产232层堆叠的NAND Flash闪存芯片。去年12月，美光宣布基于其232层堆叠的NAND Flash闪存芯片的SSD模组——美光 2550 NVMe SSD 已正式向全球 PC OEM 客户出货，这也是全球首款采用 200 层堆叠以上 NAND Flash 的客户端 SSD，主要应用于主流笔记本电脑和桌面PC。

虽然国产存储厂商去年推出了232层的NAND Flash，但是由于美国对华半导体新规的限制，使得其生产受到了不小的影响。

编辑：芯智讯-浪客剑