英特尔全新堆叠式CFET晶体管架构曝光，有望将制程推进至0.2nm

5月24日消息，近日在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了几个关键领域最新技术发展，其中就包括了英特尔将采用堆叠式 CFET 晶体管架构，这也是英特尔首次公开介绍新的晶体管设计，但并未提及具体的量产时间表。

在2021年创新技术大会上，英特尔公布了 Intel 20A 制程将采用基于 Gate All Around（GAA）技术 RibbonFET 晶体管架构，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶体管架构。新技术提升晶体管开关速度，占用空间更少，可以达成与FinFET结构相同驱动电流水准。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 将在 2024 年量产。

英特尔还展示下一代 GAA 堆叠式 CFET 晶体管架构，将允许堆叠8个纳米片，是 RibbonFET 的4个纳米片的两倍，将进一步提升晶体管密度。CFET 电晶体将 n 和 p 两种 MOS 元件堆叠在一起，以达成更高的密度。英特尔正在研究两种 CFET晶体管，也就是单片式和顺序式，但未确定最后采用哪种 CFET晶体管，或还有其他类设计出现。

英特尔表示，凭借CFET晶体管技术，2032年将有望进化到5埃米（0.5nm），2036年将有望实现2埃米（0.2nm），CFET晶体管架构类型还会发生变化，也是不可避免的。不过，英特尔只是概述电晶体技术大概发展蓝图，并没有分享太多细节，未来应该还会陆续公开更多信息公布。

编辑：芯智讯-浪客剑