恩智浦推出业界首款车用16nm嵌入式MRAM，将于2025年向客户提供样品

5月16日消息，汽车芯片大厂恩智浦半导体 (NXP) 宣布携手台积电，推出业界首款采用 16nm FinFET工艺的车用嵌入式MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存储器）。

恩智浦表示，随着汽车制造商向软体定义汽车 （software-defined vehicle；SDV） 转型，车厂需要在单一硬体平台上支持多世代的软件更新。结合恩智浦的高效能 S32 车用处理器与采用 16nm FinFET 技术的快速且高度可靠的下一代非易失性存储器 （non-volatile memory），就能提供支持这类转变的理想硬件平台。

恩智浦汽车MCU产品管理高级总监Ed Sarrat表示，MRAM 只要约 3 秒就能更新 20MB 的代码，相比之下目前标准的闪存需要约 1 分钟，这能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因模块编程时间长而产生的瓶颈。此外，MRAM 还能提供高达百万次的擦写，相比闪存和RRAM其他新型存储体技术高出约 10 倍，为汽车任务配置文件提供了一种高度可靠的技术。随着即将到来的软件定义车辆(SDV)时代的要求，此功能将使MRAM成为理想选择。

另外，软件定义汽车让汽车制造商能够透过空中下载 （over-the-air；OTA） 更新推出全新的舒适、安全以及便利的功能，将帮助车厂延长车辆使用寿命并提升其功能性、竞争力、与获利能力。随著基于软件的功能在车辆中越趋普及，更新频率将会增加，MRAM的速度和稳定性变得极为重要。而台积电的 16nm FinFET 嵌入式 MRAM 技术凭借其百万次擦写周期耐用度、支持回流焊接 （solder reflow），即使在摄氏150 度下还能保留数据达 20年，超越骑车应用的严格要求。

台积电业务开发资深副总经理张晓强表示，恩智浦内部的创新者总是能迅速认识到台积电公司新制程技术的潜力，尤其是在要求严格的车载应用方面。我们很高兴看到台积公司领先的 MRAM 技术被运用于恩智浦 S32 平台，帮助实现下一代软件定义汽车。

恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理 Henri Ardevol 表示，恩智浦与台积电公司已成功合作达数十年，一直持续为汽车市场提供高品质的嵌入式存储技术。MRAM 是恩智浦 S32 车用解决方案系列的突破性新生力军，支持下一代车辆架构。

恩智浦强调，测试车辆样品已完成并正在评估阶段。初期产品样品预计于 2025 年初提供给主要客户。

编辑：芯智讯-林子