12月27日消息，根据韩国《首尔经济日报》 报导，尽管全球经济形势持续放缓，半导体市场需求也在持续下行，但三星仍计划在2023 年逆势将平泽P3厂的DRAM 和晶圆代工产能。

报导引用相关知情人士的说法，三星预计在位于韩国平泽的P3工厂增加DRAM 生产设备，届时12 吋晶圆月产能将可达7 万片，高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。截至第3季，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片，以增产5万片计算，增幅约7.5%。三星还将使用新的设备生产12nm级DRAM。另外，三星还计划把P3厂的晶圆代工产能提高到3 万片，并增加4nm产能，强攻先进制程。截至第3季，三星的每月晶圆代工总产量为47.6万片。

为应对DRAM与晶圆代工先进新产能需求，三星还将新增至少10台极紫外光（EUV）光刻机，目前三星已有约40台EUV光刻机。

根据统计，三星现阶段在韩国有5 座半导体晶圆厂，分别位于器兴、华城、平泽、温阳和天安。此外，三星还在中国苏州、天津和西安还运营有三座存储晶圆厂，在美国德州奥斯汀也有一座半导体晶圆厂。而在这些晶圆厂当中，最大的半导体工厂便是平泽的P3 工厂，该工厂从2020 年年底开始建设，历时近两年完工，从2022 年7 月份开始量产先进的NAND Flash闪存，后续也加入了晶圆代工和其他半导体产品。

业界认为，三星晶圆代工因产能约五成自用与约五成对外接单而呈现供不应求，其4nm制程已在本季陆续扩产到位。即便三星在先进制程产能规模仍仅约龙头台积电的五分之一，但三星正展现出强烈的企图心在奋力追赶台积电。

值得注意的是，三星为了腾出更多的晶圆代工产能来服务客户，正计划将自家的家电、手机与面板驱动IC等成熟制程芯片交由其他晶圆代工厂生产。除了联电本就有为三星代工部分成熟制程芯片外，三星或将进一步增加力积电和世界先进这两家代工厂，以满足自身庞大的成熟制程芯片制造需求。市场传闻也显示，联电已取得三星28nm OLED驱动IC大单。此外，三星旗下逻辑芯片设计部门，依循长约规定，明年增加OLED面板驱动IC、数字讯号处理器（ISP）等28nm及22nm制程的下单。

在先进制程方面，据韩国媒体infostockdaily报道，三星晶圆代工4nm制程先前已将良率提升至近约六成，随客户需求提升而决议扩充，相关投资加注下，三星晶圆代工在4nm投资将达约5万亿韩元。

在存储芯片方面，受智能手机、PC等需求疲软冲击，DRAM和NAND Flash价格持续走跌，尽管SK海力士、铠侠、美光等存储芯片大厂纷纷宣布减产或大幅削减资本支出，但作为存储芯片龙头的三星始终逆势扩张，虽然有助于三星本身规模扩张，但对整体存储芯片市场而言并非好事，不仅会拖延库存去化的时间，也会使得相关同业竞争对手营运更具压力。

据市场调研机构Omdia统计，三星在全球DRAM市场市占率节节攀升，从2021年第4季的41.9%，今年第2季扩大到43.4%，稳居龙头。NAND Flash方面，三星今年第2季市占率达33.3%，也是排名第一。

根据之前三星所公布的2022 年第三季财报显示，其营业利润为10.85万亿韩元，较2021 年同期下滑31.4%，较第二季也下跌23%，净利为9.39万亿韩元，较2021 年同期下跌23.6%。而因为市场需求下降和产品供过于求，三星在存储及晶圆代工领域的相关的竞争对手均纷纷缩减投资。但三星公司高层曾经在2022 年10 月份表示，三星将不会刻意降低晶圆产量。此番三星逆势扩产更是进攻意味十足。

编辑：芯智讯-林子