南大光电自研ArF光刻胶再获突破，已通过逻辑芯片企业55nm产品认证

在半导体制造上，国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备，光刻胶也是重要的一环。

5月31日晚间，南大光电发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

受该利好消息影响，今天南大光电股价开盘大涨，截至收盘股价上涨11.17%，收于35.19元/股。

资料显示，随着芯片跨入纳米级，半导体光刻胶的波长也在不断缩短，已经由紫外宽谱逐步发展到g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸润式，以及最先进的EUV（<13.5nm）线水平。