深科技：总投资100亿元的沛顿存储芯片封测项目将于12月投入生产

3月23日，深科技在接受机构调研时表示，目前合肥沛顿项目建设进展顺利，一期厂房将于今年第四季度完成建设，并于12月投入生产，届时可有效配合上游厂商最新的业务发展进度。

合肥沛顿是深科技与地方政府共同投资建设的集成电路先进封测和模组制造项目，总投资金额100亿元，主要为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务。

其中一期项目投资30.67亿元，公司已公告拟通过非公开发行募资17.1亿元，与国家集成电路大基金二期、合肥经开创投等共同投资完成，包括新建月均产能4800万颗DRAM存储芯片封装测试的项目、月均246万条存储模组项目和月均产能320万颗NAND Flash存储芯片项目。

本项目实施后，可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务，有助于国内存储器芯片封测的深度国产化，提升国产存储芯片封测的产业规模，促进我国存储器产业链发展。

据悉，深科技目前已实现动态存储颗粒DDR4、DDR3的批量生产，每月封测产量达5000万颗以上，并具备LPDDR4、LPDDR3和固态硬盘SSD的量产能力。同时不断推进DDR5、LPDDR5等新产品的技术开发，具备最先进DRAM产品的封测能力。

深科技认为，存储封测行业作为我国半导体产业的先行推动力，目前高端存储封测行业处于高速发展的状态。但国产化极低，国产替代空间巨大。