三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出这种工艺，目前关于此工艺的消息甚少。不过，近日外媒tomshardware报道称三星在近日的IEEE国际集成电路会议上，首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，并公布了3GAE工艺的一些细节。
GAAFET其实有两种，一种是使用纳米线作为电子晶体管鳍片的常见GAAFET，另外一种则是以纳米片形式出现的较厚鳍片的多桥通道场效应电子晶体管MBCFET。两种都在栅极材料所在侧面上围绕沟道区，纳米线与纳米片的实现方式很大程度上取决于设计，一般而言都用GAAFET来描述两者。
GAAFET其实早在1988年就出现了，这种晶体管的结构使得设计人员可以通过调节晶体管通道的宽度来精确地对其进行调谐，以实现高性能或低功耗。较宽的薄片可以在更高的功率下实现更高的性能，而较薄/较窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上实现类似的设计时，工程师必须使用额外的鳍来改善性能。但是在这种情况下，晶体管通道的“宽度”只能增加一倍或两倍，精度不是很好，有时效率很低。
三星表示，与7LPP工艺相比，3GAE工艺可在同样功耗下让性能提高30%，同样频率下能让功耗降低50%，晶体管密度最高可提高80%。
三星展示了首个使用MBCFET技术的SRAM芯片，这个256Gb芯片的面积是56mm²，与现有芯片相比这个用MBCFET技术的写入电压降低了230mV，可见MBCFET确实能让降低功耗。
SRAM其实是比较简单的芯片，目前还没有见到三星能用这种技术生产复制芯片的能力，但相信给些时间三星就能解决这问题，预计3nm MBCFET制程会在2022年投产。
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