台积电2021年资本支出将达200亿美元,设备厂将受益

台积电3nm工厂年耗电量将达70亿度​,“缺电”或成最大威胁-芯智讯

全球晶圆代工龙头台积电2020年交出亮丽成绩单,预期全年美元营收年成长率逾三成并创下历史新高。2021年虽然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地缘政治及贸易战等外在环境变数,但晶圆代工订单强劲,第二季前产能利用率维持满载。设备业者及市场法人看好台积电2021年3nm产能建设及2nm技术研发加速进行,全年资本支出将上看200亿美元再创新高。

台积电2020年资本支出估达170亿美元,创下新高无虞。但7nm及5nm等先进制程、16nm以上成熟制程等产能仍供不应求。台积电2021年持续扩增产能以因应强劲需求,包括Fab 18A厂第三期5nm产能将在第一季开出,Fab 18B厂3nm产能建置正加速进行,同时提升2nm闸极全球场效电晶体(GAAFET)技术研发速度等。

设备业者指出,受惠于5G及WiFi 6、人工智慧及高效能运算(AI/HPC)、车用及物联网晶片等晶圆代工需求强劲,台积电看好2021年产能持续供不应求,7nm及5nm接单几乎全满,成熟制程产能全线吃紧,加上3nm产能建设及美国5nm新厂动工将同步展开,持续增加极紫外光(EUV)曝光机及相关设备采购规模,预期2021年资本支出将上看200亿美元,连续三年创下历史新高。

以2021年新厂建置进度来看,台积电针对3nm制程打造的Fab 18B厂共三期工程已动工,美国5nm建厂即将展开,南科Fab 14厂会再兴建P8厂做为特殊制程晶圆厂,并在同一厂区内兴建先进封装技术生产基地。再者,竹科厂区将兴建拥有两座研发晶圆厂的研发中心,其中R1研发晶圆厂预计2021年完工,做为2nm及更先进制程的研发基地,竹南先进封装厂则如期进行。

根据预计台积电3nm将于2022年第二季进入量产,5G及HPC应用会是主要产品线。根据台积电规画,3nm晶圆厂厂房基地面积约为35公顷,洁净室面积将超过16万平方公尺,大约是22座标准足球场大小。3nm进入量产时,当年产能预估将超过每年60万片12吋晶圆。业界预期台积电会是全球第一家提供3nm量产的半导体厂,该厂区也会是全球拥有最多EUV产能的超大型晶圆厂(GigaFab)。

来源:工商时报

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