2026年9月8日，韩国半导体巨头三星电子为其位于日本神奈川县横滨市“港未来区”的半导体研发基地——“三星先进封装实验室”（Advanced Packaging Laboratory）举行落成启用典礼。此次启用典礼吸引了约100位三星高层、韩日两国政府代表及客户企业代表均出席。
面对人工智能（AI）对高端芯片日益增长的需求，“三星先进封装实验室”旨在深化与日本半导体设备、材料厂商及研究机构的合作，加速半导体后道先进封装技术的研发。
据三星电子官方披露，该研发中心总投资额达400亿日元（约合2.57亿美元），其中获得日本政府高达225亿日圆的资金支持，占地面积约6,600平方公尺。该基地自2023年成立以来分阶段导入设备，自2026年起正式具备全面进行实验与评估的能力。
三星副董事长全永铉（Jun Young-hyun）在典礼上表示，这座新基地将成为推动技术交流及联合开发下一代封装产业的强大动力。根据三星此前公布的战略规划，自2024年起五年内将持续向该研发中心注入资金，重点用于升级实验室设备、完善研究基础设施，并计划到2027年将研发团队规模扩大至百人以上。
三星电子之所以选择在日本横滨设立研发中心，核心原因在于日本在全球半导体后道先进封装技术及材料领域拥有不可替代的领先地位。随着AI数据中心对高带宽存储器（HBM）需求激增，提升HBM与负责运算的图形处理器（GPU）在同一封装结构中的连接效率成为技术关键。
三星电子指出，HBM所需的关键材料几乎全依赖日本企业供应。例如，住友电木（Sumitomo Bakelite）在封装材料全球市占率约40%，而Resonac控股与三菱气体化学则在基板材料领域处于领先地位。
三星电子强调，在日本建立研发设施能大幅缩短新技术的开发周期。相较于以往日本供应商开发的新材料需运往韩国测试，相关审批与进出口手续有时会使材料延迟最多两个月抵达，在AI技术快速迭代的环境下极易削弱竞争力。
随着横滨实验室的启用，三星可在日本当地完成材料评估与原型开发，仅将最具潜力的技术转移至韩国量产线。这种“就地研发、就地验证”的模式显著提升了研发效能，有助于三星在HBM与先进封装竞赛中追赶竞争对手SK海力士及台积电。
编辑：芯智讯-林子
