中国存储双雄大举扩产，设备厂商将直接受益

7月13日消息，据日经亚洲近日报道，随着AI对于高带宽内存（HBM）、先进DRAM与大容量NAND Flash需求的爆发，为抓住本轮存储超级周期的发展机遇，提升在全球供应链当中的地位，中国两大存储制造商——长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC），正展开大规模的产能扩张，双方合计将投入高达630亿人民币的资本支出来采购半导体制造设备。

其中，在DRAM领域，长鑫存储的扩产步伐惊人。该公司在2025年达到每月28万至29万片DRAM晶圆的产能之后，并在2026年再增加5万至6万片的月产能。根据分析指出，若现有计划如期完成，长鑫存储在2026年底的月产能将达约35万片，直逼国际三大DRAM厂之一的美光（Micron）同期的37.5万片预估产能。

而为了达成每月80万片晶圆的长期目标，长鑫存储编列了350亿至430亿人民币的设备采购预算。值得注意的是，长鑫存储的无尘室建置时间仅需约12个月，远低于业界平均的21至24个月。尽管受限于美国制裁而无法取得先进的EUV光刻机，长鑫存储仍通过DUV设备及多重曝光技术成功克服技术瓶颈，目前已开始出货主要用于AI需求的高性能DDR5（8000 MT/s）与LPDDR5X。

另一方面，专注于高层数NAND Flash的长江存储，目前在武汉的两座晶圆厂合计月产能约为15万片。其第三期扩产计划目前已进入设备安装与测试阶段，预计于2026年下半年投入量产。在200亿人民币的设备采购预算的支持下，该计划满载后的总月产能预估将突破17万片。

这波由中国存储双雄带动的扩产潮，预期将为当地的半导体设备供应链创造庞大商机。目前中国半导体设备的本土采购率约为23.2%，单是长鑫存储在2026年的采购活动，预估就能为本土设备供应商带来近100亿人民币的新业务，加速国产设备的导入。

此外，为了缓解中国国内的内存短缺问题，中国政府正鼓励长鑫存储将其部分DRAM技术知识产权（IP）共享给福建晋华（JHICC）、昇维旭（Swaysure）及长江存储子公司新芯（XMC）等其他国内制造商，同时也为日后进军欧盟，甚至美国等国际市场预作准备。

随着企业数据中心扩张及硬件加速器需求攀升，不仅中国存储双雄，三星电子、SK海力士与美光等国际大厂亦同步增加资本支出以应对市场需求。国际半导体产业协会预测，全球半导体设备市场规模将从2024年的1,166亿美元，大幅增长至2027年的1,556亿美元。中国芯片厂在AI浪潮下展现的强势扩张，无疑将为全球半导体竞争版图带来新的动能。

编辑：芯智讯-林子