Intel 14A2将采用双面供电技术

随着人工智能（AI）需求暴涨，全球尖端制程晶圆代工市场竞争也愈发激烈。为应对台积电与三星计划推出的1.4nm先进技术，英特尔正考虑更新其制程技术路线图，计划推出基于Intel 14A制程的改良的Intel 14A2制程，并预计导入创新的双面（Dual-Side）供电技术架构。

在1.4nm等级的竞争态势中，台积电预计于2027年启用其A14制程晶圆厂，而三星则将1.4nm量产目标推迟到了2029年。与此同时，英特尔则预计于2027年推出具突破性的14A技术，并表示已有外部客户排队准备采用，借此以重振其晶圆代工与制造业务。

根据韩国媒体ETNews报道，作为Intel 14A 的升级版，Intel 14A2 在架构上有重大变革。原本英特尔计划在基础的1.4nm制程中应用专注于背面供电网路（BSPDN）的PowerDirect 技术。但在后续的Intel 14A2 制程中，英特尔考虑导入结合正面与背面供电的“双面架构”。

此外，基础Intel 14A 节点的M0 金属层间距（pitch）为28nm，而Intel 14A2 会将间距进一步微缩至21nm。这项微缩技术将通过双重曝光等改进来达成，进一步带来更高的晶体管密度（Intel 14A 预计已能提供30% 的密度提升，Intel 14A2 将更进一步）。这样虽然能提升High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）设备的使用率及单机获利能力，但也伴随着技术挑战。

因为21nm的间距会导致电阻增加，且纳米硅通孔（nTSVs）的设计并无法负荷如此高的密度。为了解决此问题，英特尔预计将采用了复合结构设计，以背面供电（BSPDN）作为主要电源，同时将部分供电分配给正面金属层。
展望未来市场，由于台积电目前已涌入大量订单，许多芯片设计商开始将目光转向英特尔与三星等其他代工厂。尽管英特尔目前信心满满，但要真正赢得外部客户的信任，英特尔仍必须透过Intel 18A-P、Intel 14A 以及备受瞩目的Intel 14A2 等产品的良率保证，来证明其在半导体代工领域的制造实力。

编辑：芯智讯-林子