英特尔新光罩厂动工，聚焦EUV与High NA EUV技术

当地时间2026年6月30日，英特尔在位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市的Bowers园区，为其新的光罩（掩模/Reticle）生产设施举办了动工仪式。英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan） 以及代工业务负责人、掩模业务总经理等核心高管，圣克拉拉市长丽莎·吉尔莫出席了该动工仪式。

据介绍，该项目占地约107,000平方英尺（约9,940平方米），计划建设一座新的光罩制造工厂和一座新的公用事业大楼，这将巩固该厂作为英特尔光罩主要生产商的地位。

新工厂将具备为深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻，以及从32nm到1.4nm级的多种工艺制程节点生产6英寸×6英寸光罩的能力。不过，该设施的核心任务是为英特尔18A、18A-P、14A等前沿制程技术制造光罩。这些先进工艺依赖DUV、EUV乃至未来的高数值孔径（High-NA）EUV光刻工具，因此需要更尖端的光罩，例如具备极高图案密度、并采用曲线光学邻近效应修正（OPC）技术的曲面几何形状光罩。

英特尔是全球少数拥有先进光罩制造厂的芯片制造商之一。这很重要，因为一款尖端制程芯片可能需要数百个光罩，而任意一个光罩上如果存在瑕疵，都会影响芯片生产。

此外，随着EUV光刻层的引入，光罩的自主生产能力正变得尤为关键——因为EUV光刻工具在使用过程中会逐渐损伤光罩（即便有保护薄膜防护），因此，能在短时间内快速制造出新光罩，是保障生产连续性的核心能力。

更值得一提的是，英特尔是目前唯一一家自主开发光罩写入设备的半导体厂商，这项业务由其旗下的IMS纳米制造公司负责。

传统上，光罩的图案化依赖单电子束直写工具，速度较慢；而IMS生产的多束光罩写入机（MBMWs），可同时发射多达262,144束独立编程的电子束进行写入，在维持纳米级精度的同时，将吞吐量提升了数个数量级。

“几十年来，圣克拉拉一直是英特尔许多最重要制造创新的发源地，”英特尔代工业务副总裁兼光罩运营总经理Frank Abboud博士表示。“此次扩大鲍尔斯园区（Bowers Campus）的光罩生产能力，是在加强一项支撑全球先进制程技术生产的关键能力，同时强化英特尔代工业务致力于推动美国半导体制造领导地位的承诺。”

英特尔位于圣克拉拉的Bowers园区自1986年起便专注于光罩生产，与俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂共同构成了英特尔主要的光罩制造基础设施。

编辑：芯智讯-浪客剑