联电推出14纳米eHV FinFET平台，助力下一代OLED技术创新

5月14日，台系晶圆代工大厂联华电子宣布推出用于显示驱动芯片的14纳米嵌入式高压（eHV）FinFET技术平台，并已向客户提供制程设计套件（PDK）用于设计导入。该全新制程已在联电12A厂完成验证，可提升电源效率与性能，同时缩小芯片尺寸，助力新一代显示技术发展。

相较于联电目前量产中最先进的22纳米eHV解决方案，14纳米eHV FinFET平台可降低40%的功耗，芯片面积缩小35%，进一步延长电池续航能力，并支持更小型、轻薄的驱动模块设计，以满足高阶及折叠式OLED智能手机的显示应用需求。在数字电路方面，14纳米平台以FinFET晶体管取代平面晶体管，通过优化的I/O元件设计与更高的驱动速度，进一步提升电气性能，确保信号完整性，并支持高分辨率显示应用所需的高刷新率。此外，优化的中压元件具备更小的线宽间距，支持更宽的电压操作范围，为驱动电路设计提供更高灵活性。

联电技术研发副总经理徐世杰表示，显示应用无所不在，市场需求将持续向更高画质、更快速度与更低功耗的方向发展。联电很高兴能在显示驱动IC市场持续保持领先地位，此次14纳米eHV平台的推出，是首次将FinFET技术导入显示驱动领域，具有重要里程碑意义。随着客户产品功能不断升级，联电将持续以领先的制程技术，协助客户将创新构想化为可量产的成果。

联电长期在OLED显示驱动IC市场占据领先地位，是目前业界唯一提供最先进22纳米显示驱动IC解决方案的晶圆代工厂。凭借领先的eHV制程技术、完整的IP资源与强大的设计支持能力，联电以涵盖0.6微米至14纳米的高压制程技术平台，为显示产业提供最完整的解决方案，携手客户共同引领显示新世代。

编辑：芯智讯-林子