台积电2nm制程正式量产！

12月30日消息，晶圆代工龙头大厂台积电通过官网低调宣布，“台积电的2nm（N2）技术已按计划于2025 年第四季开始量产”。

据介绍，N2工艺是台积电首个采用全环绕栅极（Gate-all-around，GAA）纳米片（Nanosheet）晶体管的制程节点，在性能和功耗方面实现了全节点提升。

根据台积电公布的技术参数显示，与前一代N3E 制程相较，N2 在相同功耗下可提升10% 至15% 的性能。若在相同性能下，则能耗降低25% 至30%。对于混合设计（包含逻辑、类比与SRAM）而言，其晶体管密度可提升15%。而针对纯逻辑设计，晶体管密度增幅更高达20%。

此外，台积电还开发了低电阻重分布层（RDL）和超高性能金属-绝缘体-金属（MiM）电容器，这项创新为供电网路提供了比前代设计高出两倍以上的电容密度，同时将片电阻（Rs）与通孔电阻（Rc）各降低了50%。这些技术细节的改进，直接转化为更稳定的供电、更卓越的运算性能以及更优化的整体能源效率。

台积电表示，N2技术在密度和能效方面都将成为半导体行业最先进的技术。凭借领先的纳米片晶体管结构，N2技术将带来全节点性能和功耗优势，以满足日益增长的节能计算需求。通过我们持续改进的战略，N2及其衍生技术将进一步巩固台积电的技术领先地位，并使其在未来很长一段时间内保持领先地位。

至于此次台积电2nm率先量产的地点，原本外界普遍预期，台积电会率先在紧邻其全球研发中心的新竹宝山Fab 20 厂进行N2 技术的量产，毕竟该厂区是2nm系列技术的研发大本营。然而，根据最新的信息显示，台积电此次是在高雄的Fab 22 晶圆厂率先开始量产2nm。

△台积电Fab22

虽然Fab 20 厂预计也会随后启动大规模生产，但高雄厂的“首发”地位，反映出台积电在台湾产能调配上的高度灵活性。

台积电总裁魏哲家在今年10 月的法人说明会上曾经表示，N2 制程在本季进展顺利且良率良好，并预计在2026 年受益于智能手机与高性能计算（HPC）AI应用的驱动，达成更快速的产能提升。

过去，台积电在导入新制程时，通常会优先针对移动设备及小型消费性电子产品进行产能爬坡，因为这类芯片尺寸较小，良率控制相对容易，但N2 制程打破了这项惯例。背景是因为市场对先进制程的强烈需求，台积电正同时针对智能手机，以及更大型的AI与HPC设计在新厂进行产能提升。而且，台积电同时启动两座具备N2 生产能力的晶圆厂，反映出其众多合作伙伴对此技术的高度兴趣。

不过，2nm制程的量产只是开始，台积电已规划好了清晰的后续路径。接下来，做为N2 家族的延伸，台积电将推出N2P 制程，在N2 的基础上进一步优化性能与功耗，预计于2026 年下半年量产。更受瞩目的将是A16 制程，将首次导入台积电的超级电轨（Super Power Rail，SPR）背面供电技术。这项技术特别适用于具有复杂信号路径和密集电力传输网路的高性能运算产品。目前，A16 的研发进度亦符合预期，预计将于2026 年下半年进入量产阶段。

编辑：芯智讯-浪客剑