存储芯片价格大涨，SK海力士与三星存储业务毛利率将首次超越台积电

12月23日消息，随着人工智能需求快速攀升，存储芯片价格大幅上涨，半导体产业的获利结构正出现变化。据《韩国经济新闻》报道，预计三星电子的存储部门与SK 海力士在2025年第四季度的毛利率将超越台积电，这将是自2018年第四季度以来，存储产业的利润表也现首次超过晶圆代产业。

报道指出，三星电子与SK 海力士的毛利率，预计将在63%到67%之间，高于预计的台积电的60%毛利率。此外，全球第三大存储芯片制造商美光，在2026会计年度第一财季（2025年9月到11月）的毛利率已达56%，并预期在第二财季（2025年12月到2026年2月）将进一步升至67%，显示美光也有机会在自然年2026年第一季度的获利表现超越台积电。

存储芯片价格快速上涨是推动存储产业获利增长的主要动能。目前三大存储芯片制造商，已将约18%到28%的DRAM产能配置于高带宽内存（HBM）。而HBM 则是需要通过堆叠8到16颗DRAM芯片制造而成，这也大幅压缩了通用DRAM的供应量，使得通用DRAM价格出现单季涨幅超过30%的情况。

报道指出，随着人工智能行业从“训练”转向“推理”，快速数据存储和检索至关重要。而推理将训练过程中获得的知识应用于解决问题，这反过来又需要HBM等内存来存储数据并将其连续馈送到GPU。这些对于存储芯片需求的增长，正在推动存储芯片毛利率超过晶圆代工厂。

另外，虽然通用DRAM的性能落后于HBM，但是在人工智能转向推理的早期阶段，工作负载通常由通用DRAM（如GDDR7和LPDDR5X）处理，而HBM则保留用于更密集的推理任务。比如，英伟达在以推理为重点的AI加速器中使用GDDR7就是一个典型的例子。

与此同时，存储芯片厂商计划通过开发为人工智能量身定制的高性能产品来维持以内存为中心的时代。一个例子是内存处理（PIM），它使内存能够处理传统上由GPU执行的部分计算工作负载。该报道补充说，垂直沟道晶体管（VCT）DRAM和3D DRAM等技术也有望进入市场，这些技术通过在较小的区域存储更多信息来提高数据密度。

编辑：芯智讯-浪客剑