标签： 3nm GAA

11月22日消息，据外媒报导，韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）芯片，但不代表进展顺利。最新的爆料称，三星3nm GAA制程的良率非常糟，仅为20%，为了解决这困境，三星计划通过与美国公司合作提高良率。

继不久前三星宣布其3nm GAA制程芯片量产出货之后，传三星第二代3nm GAA制程预计将于2024年开始量产，并已经与部分客户洽谈。

7月25日消息，据韩联社报导，继6月底宣布量产3nm GAA工艺之后，7月25日，三星代工的首批3nm芯片已完成生产，并在韩国华城园区厂举行了出货仪式。

​7月22日消息，据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发加密货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。

5月18日消息，据韩国经济日报（Korea Economic Daily）引述匿名产业消息人士报导称，三星正为旗下5G旗舰手机打造全新的处理器芯片，预计2023年完成芯片设计，2025年开始导入自家旗舰机。业界研判，三星将通过自研先进制程的5G旗舰芯片，让自家的先进制程晶圆代工练兵，并借此维持晶圆厂的产能利用率，以追赶台积电。

11月29日消息，据台湾《经济日报》报道，三星集团副会长李在镕赴美行程结束返回韩国之后，传出消息称，三星集团将凭借手上逾千亿美元的现金储备优势，可能择一收购或入股多家国际半导体大厂，潜在标的可能将包括德州仪器（TI）、瑞萨（Renesas）、恩智浦（NXP）、英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST）等台积电重要客户。