三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程
11月3日消息，据外媒报导，韩国三星电子近日告诉投资者，该公司将于2024年下半年开始使用其第二代3nm（SF3）制程技术及性能增强版的4nm（SF4X）制程技术来生产芯片。预计凭借这两个制程节点，将显著提高三星在晶圆代工市场的竞争地位，并藉由新制程来争取生产客户的新型产品。
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三星3nm量产客户曝光，首款产品已上市！台积电3nm良率已落后？
7月19日消息，知名半导体研究机构TechInsights于昨日发布了一篇拆解报告称，加密货币矿机制造商——比特微电子的Whatsminer M56S++矿机当中的AISC芯片采用的是三星3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）制程工艺。
三星：成熟制程减产传闻不实，会设法满足客户需求
2月8日消息，针对近日市场传出的三星电子需要减产成熟制程以支持3nm产能的市场传闻，三星电子回应称，此传闻为不实谣言。
韩媒称台积电3nm良率仅有50%，三星3nm良率已达“完美水准”
1月10日消息，根据韩国经济日报的报导，市场消息人士表示，三星目前已经大幅提高了其最尖端的3nm制程的良率与产量，用以相抗衡也已正式大规模量产3nm制程的晶圆代工龙头台积电。
三星3nm GAA制程良率仅20%，急找美国厂商合作解决
11月22日消息，据外媒报导，韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）芯片，但不代表进展顺利。最新的爆料称，三星3nm GAA制程的良率非常糟，仅为20%，为了解决这困境，三星计划通过与美国公司合作提高良率。
三星宣布将在2027年量产1.4nm
近日，在加利福尼亚州圣何塞举行的三星代工论坛上，三星电子公布了其芯片制造业务的未来技术路线图，宣布在2025年开始大规模量产2nm工艺，更先进的1.4nm工艺则预计会在2027年投产，主要面向高性能计算和人工智能等应用。
三星第二代3nm将于2024年量产？传已与部分客户洽谈
继不久前三星宣布其3nm GAA制程芯片量产出货之后，传三星第二代3nm GAA制程预计将于2024年开始量产，并已经与部分客户洽谈。
三星高调举办首批3nm芯片出货仪式，但仍未公布客户是谁
7月25日消息，据韩联社报导，继6月底宣布量产3nm GAA工艺之后，7月25日，三星代工的首批3nm芯片已完成生产，并在韩国华城园区厂举行了出货仪式。
三星3nm下周一掀底牌
7月22日消息，据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发加密货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。
三星成立先进封装工作组，发力先进封装技术
虽然在半导体先进制程工艺方面，近日三星成功抢先台积电量产了3nm GAA制程工艺，但是在2.5/3D先进封装技术方面，三星仍落后于英特尔和台积电。而为了缩短这方面的差距，三星也已经组建了新的半导体封装工作组发力先进封装技术。
抢先台积电？传三星将于下周宣布量产3nm工艺
6月22日消息，据韩国媒体报道称，三星电子有望于下周宣布 3nm 制程工艺的量产事宜。如果消息属实的话，那么这将意味着三星成功抢在台积电之前量产了3nm工艺。
三星研发全新旗舰机芯片，以期带动自家先进制程晶圆代工业务
5月18日消息，据韩国经济日报（Korea Economic Daily）引述匿名产业消息人士报导称，三星正为旗下5G旗舰手机打造全新的处理器芯片，预计2023年完成芯片设计，2025年开始导入自家旗舰机。业界研判，三星将通过自研先进制程的5G旗舰芯片，让自家的先进制程晶圆代工练兵，并借此维持晶圆厂的产能利用率，以追赶台积电。
